SK海力士表示，已向主要客戶交付了12層堆疊的HBM4E（高頻寬記憶體）樣品，標誌著該公司人工智慧記憶體路線圖邁出了重要一步。該公司表示，樣品已按計劃交付，並將與合作夥伴緊密合作，確保及時實現量產。
HBM4E是在SK海力士HBM產品組合的基礎上，針對人工智慧訓練和推理工作負載，在頻寬和能源效率方面均有所提升。 SK海力士表示，這款新型記憶體的單腳傳輸速度高達16Gbps，與上一代產品相比，能源效率提升超過20%。
該公司還推出了新的介面和設計優化方案，旨在降低資料傳輸延遲，並在高頻寬運行條件下提高穩定性。這些改進旨在支援對記憶體吞吐量要求日益提高的人工智慧資料中心和大規模計算平台。
採用SK海力士先進MR-MUF（回流熔封）封裝技術的12層堆疊HBM4E封裝，容量高達48GB。 MR-MUF技術在堆疊晶片之間注入液態封裝材料，以提升結構完整性並保護內部電路。據該公司稱，與HBM4相比，該升級設計還提高了17%的耐熱性，有助於在高可靠性人工智慧系統中保持穩定。
SK海力士表示，這款新產品充分利用了先前幾代產品（包括HBM3、HBM3E和HBM4）累積的製造和封裝經驗。該公司預計，隨著人工智慧基礎設施的不斷擴展，HBM4E將滿足日益增長的記憶體頻寬需求。
SK海力士總裁兼首席開發長安鉉表示，公司憑藉其技術實力和製造專長，以HBM4E為核心，鞏固了其在人工智慧領域的領先地位。他也補充道，SK海力士將與合作夥伴緊密合作，在滿足市場需求的同時，進一步鞏固其作為全端式人工智慧記憶體製造商的技術領先地位。
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