東芝宣布開始量產24nm NAND閃存，緊隨其後 英特爾最近的 25nm 公告.
24nm 技術將進一步縮小芯片尺寸。 東芝已經將 24 納米技術應用於 2bit-per-cell 64-gigabit 芯片，使他們能夠提供每芯片高達 8GB 的存儲空間。 東芝還為其 24 納米 NAND 配備了 Toggle DDR，從而提高了數據傳輸速度。
東芝表示，它計劃增加採用 32 納米技術製造的 3 吉比特和每單元 24 比特的產品，但沒有具體說明日期。
英特爾計劃在今年晚些時候推出採用 3 納米工藝製造的每單元 25 位 NAND 閃存，以實現量產。 鑑於東芝剛剛推出每單元 2 位 24 納米芯片，這意味著英特爾在競爭中處於領先地位。 英特爾表示，每單元 3 位技術使他們能夠在縮小 2% 的芯片中提供與每單元 20 位相同的容量。
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