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WDC 宣布每單元四位 3D NAND 技術

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今天,Western Digital Corp. 宣布已成功開發出基於 4 層 64D NAND BiCS3 技術的每單元四位 X3 閃存架構。 WD 在其 4D NAND 上採用了 X2 技術的創新,以此為基礎(技術和商業方面),並為 4D NAND 開發了新的 X3 技術。 WD 將於 3 月在加利福尼亞州聖克拉拉舉行的閃存峰會上展示採用 BiCS4 XXNUMX 技術的新型 SSD。

西部數據在快閃記憶體技術領域擁有近30年的行業領先地位,屢創行業第一。這些首創包括採用每單元2位元(X2)和3位元(X3)儲存的多層單元(MLC)快閃記憶體技術。憑藉該公司深厚的垂直整合能力(包括矽晶圓加工、在每個儲存節點中提供16個不同資料等級的裝置工程以及用於整體快閃記憶體管理的系統專業知識),西部資料成功將這項全新的X4技術推向市場。據稱,全新的BiCS3 X4技術可在單一晶片上實現768 Gb的儲存容量,比先前採用每單元3位元(X3)架構的512 Gb晶片提升了50% 。西部數據表示,容量的提升仍能維持與BiCS3 X3技術相當的效能。

3D NAND X4 技術很可能會在多個 WD 產品線中得到利用,並在集成時增加容量。 WD 還打算將 X4 技術添加到其未來幾代 3D NAND 技術中,包括 96 層 BiCS4。

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亞當·阿姆斯特朗

Adam 是 StorageReview.com 的首席新聞編輯,管理我們的內部和自由內容團隊。