Home Empreendimento Toshiba anuncia sua memória de classe de armazenamento, XL-FLASH

Toshiba anuncia sua memória de classe de armazenamento, XL-FLASH

by Adam Armstrong

Hoje, a Toshiba Memory America, Inc. anunciou o lançamento de sua solução Storage Class Memory (SCM), XL-FLASH. O XL-FLASH é baseado na tecnologia de memória flash 3D BiCS FLASH da Toshiba com SLC de 1 bit por célula. A nova tecnologia SCM visa trazer alto desempenho para a empresa enquanto reduz a latência de maneira econômica. 


Hoje, a Toshiba Memory America, Inc. anunciou o lançamento de sua solução Storage Class Memory (SCM), XL-FLASH. O XL-FLASH é baseado na tecnologia de memória flash 3D BiCS FLASH da Toshiba com SLC de 1 bit por célula. A nova tecnologia SCM visa trazer alto desempenho para a empresa enquanto reduz a latência de maneira econômica. 

O que é Toshiba XL-FLASH?

A memória de classe de armazenamento também é chamada de memória persistente (ou como costumamos nos referir a ela, PMEM). O SCM tem a capacidade de reter conteúdo semelhante ao NAND, mas, do ponto de vista do desempenho, fica no espaço entre DRAM e NAND. A DRAM ainda oferece desempenho muito mais rápido, mas com um valor premium que não parece diminuir tão cedo. O SCM adiciona uma nova camada ou camada à hierarquia de armazenamento a um custo acessível. O SCM também oferece capacidades de armazenamento mais altas do que a DRAM e velocidades mais altas (com latência reduzida) do que o 3D NAND. 

Os principais recursos incluem:

  • Matriz de 128 gigabits (Gb) (em um pacote de 2 matrizes, 4 matrizes e 8 matrizes)
  • Tamanho de página de 4 KB para leituras e gravações mais eficientes do sistema operacional
  • Arquitetura de 16 planos para paralelismo mais eficiente
  • Leitura rápida de páginas e tempos de programação. XL-FLASH fornece uma baixa latência de leitura de menos de 5 microssegundos, aproximadamente 10 vezes mais rápido que o TLC existente

O lançamento inicial do XL-FLASH da Toshiba verá formatos SSD. No entanto, o futuro poderia ver o SCM ir para o canal de memória localizado no barramento DRAM, semelhante a um NVDIMM. A Toshiba estará desenvolvendo sua longa história de NAND (já que eles afirmam ter inventado o NAND e anunciado a memória flash 3D primeiro) para o mercado SCM. 

Disponibilidade

A Toshiba começará a amostrar o XL-FLASH em setembro, com produção em massa prevista para 2020. 

Memória Toshiba

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