SanDisk hat den weltweit ersten 256-Gbit-3-Bit-pro-Zelle-(TLC)-48-Layer-3D-NAND-Chip mit BiCS-Technologie vorgestellt und gemeinsam mit seinem Partner Toshiba den Betrieb einer Pilotlinie für 3D-NAND in Yokkaichi, Japan, aufgenommen. Der 256-Gbit-X3-BiCS-Chip von SanDisk ist für ein breites Anwendungsspektrum konzipiert, darunter Consumer-, Client-, Mobil- und Unternehmensprodukte. Die Entwicklung von 48-Layer-3D-NAND wurde von beiden Unternehmen bereits Ende März dieses Jahres angekündigt .
BiCS, früher zwei Bit pro Zelle, ist eine nichtflüchtige Speicherarchitektur, die darauf ausgelegt ist, Flash-basierten Geräten ein höheres Maß an Dichte, Skalierbarkeit und Leistung zu bieten. SanDisk gibt außerdem an, dass der BiCS-NAND-Speicher die Schreib- und Löschausdauer, die Schreibgeschwindigkeit und die Gesamtenergieeffizienz im Vergleich zu früheren, herkömmlichen 2D-NAND-Speichern deutlich verbessern wird.
Verfügbarkeit
Der 256-GB-X3-BiCS-Chip von SanDisk soll irgendwann im Jahr 2016 in die Produkte des Unternehmens integriert werden.
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