SanDisk hat den weltweit ersten 256D-NAND-Chip mit 3 GB und 48 Bit pro Zelle (TLC) mit 3 Schichten und BiCS-Technologie sowie den Beginn des Betriebs einer 3D-NAND-Pilotlinie in Yokkaichi, Japan, in einer gemeinsamen Anstrengung mit seinem Partner angekündigt. Toshiba. Der 256-GB-X3-BiCS-Chip von SanDisk ist für eine Vielzahl von Anwendungsfällen konzipiert, darunter Verbraucher-, Client-, Mobil- und Unternehmensprodukte. Beide Unternehmen zunächst kündigte die Entwicklung von 48-Layer-3D-NAND an bereits Ende März dieses Jahres.
SanDisk hat den weltweit ersten 256D-NAND-Chip mit 3 GB und 48 Bit pro Zelle (TLC) mit 3 Schichten und BiCS-Technologie sowie den Beginn des Betriebs einer 3D-NAND-Pilotlinie in Yokkaichi, Japan, in einer gemeinsamen Anstrengung mit seinem Partner angekündigt. Toshiba. Der 256-GB-X3-BiCS-Chip von SanDisk ist für eine Vielzahl von Anwendungsfällen konzipiert, darunter Verbraucher-, Client-, Mobil- und Unternehmensprodukte. Beide Unternehmen zunächst kündigte die Entwicklung von 48-Layer-3D-NAND an bereits Ende März dieses Jahres.
BiCS, früher zwei Bit pro Zelle, ist eine nichtflüchtige Speicherarchitektur, die darauf ausgelegt ist, Flash-basierten Geräten ein höheres Maß an Dichte, Skalierbarkeit und Leistung zu bieten. SanDisk gibt außerdem an, dass der BiCS-NAND-Speicher die Schreib- und Löschausdauer, die Schreibgeschwindigkeit und die Gesamtenergieeffizienz im Vergleich zu früheren, herkömmlichen 2D-NAND-Speichern deutlich verbessern wird.
Verfügbarkeit
Der 256-GB-X3-BiCS-Chip von SanDisk soll irgendwann im Jahr 2016 in die Produkte des Unternehmens integriert werden.
Melden Sie sich für den StorageReview-Newsletter an
