Samsung Electronics vient d'annoncer qu'ils ont commencé à produire des puces NAND de classe 20 nm pour une utilisation dans les cartes mémoire SD et les solutions embarquées. Le nouveau processus, améliorant un processus de 30 nm, apporte de meilleures performances et densité pour les solutions de stockage. Une nouvelle puce MLC NAND de 32 Go (gigabit) vient s'ajouter au portefeuille de solutions de stockage de Samsung
Samsung Electronics vient d'annoncer qu'ils ont commencé à produire des puces NAND de classe 20 nm pour une utilisation dans les cartes mémoire SD et les solutions embarquées. Le nouveau processus, améliorant un processus de 30 nm, apporte de meilleures performances et densité pour les solutions de stockage. Une nouvelle puce MLC NAND de 32 Go (gigabit) vient s'ajouter au portefeuille de solutions de stockage de Samsung.
Selon Samsung, les puces MLC NAND 20 nm ont un niveau de productivité 50 % plus élevé que la NAND 30 nm de la génération précédente. Les performances d'écriture d'une carte SD de 8 Go sont 30 % plus rapides que les cartes SD basées sur la classe 30 nm. Cela donne à la mémoire un niveau de vitesse de 10 (20 Mo/s en lecture, 10 Mo/s en écriture). Les niveaux de fiabilité sont équivalents à ceux trouvés dans la classe 30 nm.
Les premières puces produites de classe 20 nm ont été achevées en mars et des échantillons sont maintenant expédiés aux clients. La production des nouvelles puces augmentera cet automne. Les cartes mémoire utilisant les puces de 20 nm auront une capacité allant de 4 Go à 64 Go.
