Idag meddelade Toshiba Memory America, Inc. (TMA) att de har börjat sampla UFS-enheter (Universal Flash Storage) som använder sitt 64-lagers BiCS FLASH 3D-flashminne. TMA säger att dessa nya enheter kommer att kunna möta prestandakraven från applikationer som kräver höghastighets läs/skrivprestanda och låg strömförbrukning. Idealiska användningsfall kommer att vara i mobila enheter som smartphones och surfplattor samt förstärkta/virtual reality-system.
Idag meddelade Toshiba Memory America, Inc. (TMA) att de har börjat sampla UFS-enheter (Universal Flash Storage) som använder sitt 64-lagers BiCS FLASH 3D-flashminne. TMA säger att dessa nya enheter kommer att kunna möta prestandakraven från applikationer som kräver höghastighets läs/skrivprestanda och låg strömförbrukning. Idealiska användningsfall kommer att vara i mobila enheter som smartphones och surfplattor samt förstärkta/virtual reality-system.
Toshiba kommer att släppa fyra kapaciteter: 32 GB, 64 GB, 128 GB och 256 GB. Alla enheter kommer att integrera flashminne och en kontroller i ett enda JEDEC-standard 11.5x13 mm-paket. Enligt företaget utför styrenheten felkorrigering, slitageutjämning, logisk-till-fysisk adressöversättning och hantering av dåliga block – vilket gör att användarna kan förenkla systemutvecklingen.
Ur ett prestandaperspektiv hävdar Toshiba siffror på 900MB/s läsning och 180MB/s skrivning (för 64GB-versionen). De fortsätter med att hävda slumpmässiga prestandaförbättringar på 200 % och 185 % läser och skriver jämfört med tidigare generationer men ger inga siffror. De nya enheterna är också JEDEC UFS Ver. 2.1-kompatibla (inklusive HS-GEAR3), vilket ger dem en teoretisk gränssnittshastighet på upp till 5.8 Gbps per körfält (x2 körfält=11.6 Gbps) samtidigt som de undertrycker all ökning av strömförbrukningen. De nya UFS-enheterna stöder full duplex via deras seriella gränssnitt, vilket innebär att de kan läsa och skriva samtidigt mellan värdprocessorn och UFS-enheten.
Anmäl dig till StorageReviews nyhetsbrev
