三星宣布已開始量產業界首款 10 納米級 8Gb DDR4 DRAM 芯片及其衍生模塊。 三星表示，它顯著提高了晶圓生產率，並將數據傳輸速率提高到 3,200 Mbps，兩者都比 30nm 20Gb DDR8 DRAM 快 4%。 與基於 10 納米工藝的同類產品相比，新模塊的功耗也降低了 20% 到 20%。 今年早些時候，三星宣布 HBM2 4GB DRAM封裝量產 基於 UFS 256 的 2.0GB 嵌入式內存.
三星宣布已開始量產業界首款 10 納米級 8Gb DDR4 DRAM 芯片及其衍生模塊。 三星表示，它顯著提高了晶圓生產率，並將數據傳輸速率提高到 3,200 Mbps，兩者都比 30nm 20Gb DDR8 DRAM 快 4%。 與基於 10 納米工藝的同類產品相比，新模塊的功耗也降低了 20% 到 20%。 今年早些時候，三星宣布 HBM2 4GB DRAM封裝量產 基於 UFS 256 的 2.0GB 嵌入式內存.
三星能夠利用專有電路設計技術與四重圖案光刻技術創造出這種新的 10 納米級單元結構。 雖然四重圖案允許使用現有的光刻設備，但正是三星的內部技術基礎促成了下一代 10 納米級 DRAM 的開發。
此外，改進的介電層沉積技術促進了新的 10 納米級 DRAM 的額外性能改進。 三星補充說，他們的工程師將具有“前所未有的均勻性”的超薄介電層應用到單元電容器上的厚度僅為一位數埃。 這導致了更高電池性能所需的電容。
三星計劃推出具有高密度和速度的 10 納米級移動 DRAM 解決方案，該解決方案計劃於今年晚些時候發布。 該公司還預計在 20 年通過其新的 10 納米級 DRAM 產品組合擴展其 2016 納米 DRAM 產品線。
