Heute hat Samsung Electronics Co., Ltd. eine 800-GB-Version seiner Z-SSD, SZ985, auf den Markt gebracht. Dieser neue Antrieb zielt auf Anwendungsfälle wie künstliche Intelligenz (KI), Big Data, High Performance Computing (HPC) und Internet of Things (IoT)-Anwendungen ab. Die neue 800-GB- sowie die 240-GB-Version der Z-SSD werden auf der ISSCC 2018 vom 11. bis 15. Februar in San Francisco vorgestellt.
Heute hat Samsung Electronics Co., Ltd. eine 800-GB-Version seiner Z-SSD, SZ985, auf den Markt gebracht. Dieser neue Antrieb zielt auf Anwendungsfälle wie künstliche Intelligenz (KI), Big Data, High Performance Computing (HPC) und Internet of Things (IoT)-Anwendungen ab. Die neue 800-GB- sowie die 240-GB-Version der Z-SSD werden auf der ISSCC 2018 vom 11. bis 15. Februar in San Francisco vorgestellt.
Bei der Z-SSD handelt es sich um eine vierspurige SSD mit ultrahoher Leistung und extrem geringer Latenz, die erstmals vor über einem Jahr angekündigt wurde, bei den Details ist Samsung jedoch besonders geizig. Das Unternehmen gibt eine Leistung von 750 IOPS beim zufälligen Lesen, 170 IOPS beim zufälligen Schreiben und 16 μs Latenz an, was es wesentlich schneller als ein NVMe-Laufwerk macht. Sie geben an, dass die Z-NAND-Chips eine zehnmal höhere Zellleseleistung gegenüber 10-Bit-V-NAND-Chips haben. Das Laufwerk ist außerdem mit 3 GB LPDDR1.5 DRAM und einem Hochleistungscontroller ausgestattet.
Die Z-SSD hat eine Lebensdauer von 30 DWPD für fünf Jahre oder 43 PB insgesamt und 2 Millionen Stunden MTBF. Zu den Anwendungsfällen gehören Hochgeschwindigkeits-Cache-Daten, Protokolldatenverarbeitung, KI, Big Data und IoT.
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