Toshiba hat die Entwicklung eines 48-schichtigen dreidimensionalen Flash-Speichers mit gestapelter Zellenstruktur namens BiCS angekündigt, einem 2-Gigabit-Gerät (128 Gigabyte) mit 16 Bit pro Zelle. Das BiCS ist vor allem für Solid-State-Laufwerke geeignet und basiert auf einem 48-Layer-Stacking-Prozess, der die Zuverlässigkeit der Schreib-/Löschdauer erhöht und gleichzeitig die Schreibgeschwindigkeit erhöht. Der Musterversand von Produkten mit der neuen Prozesstechnologie beginnt heute.
Toshiba hat die Entwicklung eines 48-schichtigen dreidimensionalen Flash-Speichers mit gestapelter Zellenstruktur namens BiCS angekündigt, einem 2-Gigabit-Gerät (128 Gigabyte) mit 16 Bit pro Zelle. Das BiCS ist vor allem für Solid-State-Laufwerke geeignet und basiert auf einem 48-Layer-Stacking-Prozess, der die Zuverlässigkeit der Schreib-/Löschdauer erhöht und gleichzeitig die Schreibgeschwindigkeit erhöht. Der Musterversand von Produkten mit der neuen Prozesstechnologie beginnt heute.
Toshiba hat weiterhin den Schwerpunkt auf die Entwicklung einer optimierten Massenproduktion gelegt, um dem weiteren Marktwachstum im Jahr 2016 und in der Zukunft gerecht zu werden. Das Unternehmen hat die BiCS-3D-Technologie bereits in den frühen 2000er Jahren erfunden und Toshiba unterstützt proaktiv die Migration zum 3D-Flash-Speicher durch die Veröffentlichung eines Produktportfolios, das sich auf Anwendungen mit großer Kapazität, einschließlich SSDs, konzentriert. Die 3D-Technologie von Toshiba bietet vier wesentliche Vorteile: Die 3D-Technologie verbraucht weniger Strom, sorgt für eine längere Lebensdauer, erhöht die Energieeffizienz und bietet eine höhere Dichte. Dies macht die Technologie ideal für eine Vielzahl von Anwendungsfällen mit hoher Leistung.
Toshiba bereitet sich auch auf die Massenproduktion seines neuen Fab2 bei Yokkaichi Operations vor, seinem Produktionsstandort für NAND-Flash-Speicher. Etwa um diese Zeit im vergangenen Jahr gab das Unternehmen bekannt, dass es seine alte Fertigungsanlage in Yokkaichi, Japan, für den Übergang zur 3D-NAND-Technologie ersetzen werde. Die neue Fab2 befindet sich derzeit im Bau und wird irgendwann im ersten Halbjahr 2016 fertiggestellt.
Micron und Intel kündigten außerdem eine gemeinsam entwickelte Lösung an heute neue 3D-NAND-Technologie.
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