三星宣布已开始大规模生产其新型 3D V-NAND，与亚 20 纳米浮栅 NAND 闪存相比，它有望带来两到十倍的可靠性和两倍的写入性能。 为实现这一目标，三星实施了一项新技术，将平面电池层垂直堆叠成 3D 结构。 新的 3D V-NAND 在单芯片上提供 128Gb 的密度，并结合了三星专有的垂直单元结构，该结构基于 3D 电荷陷阱闪存 (CTF) 技术和垂直互连工艺技术，以链接 3D 单元阵列。 三星的这一新产品将成为一系列新产品的推动力，包括消费电子产品以及企业产品和 SSD。
三星宣布，其新型 3D V-NAND 已开始量产，与 20 纳米以下浮栅 NAND 闪存相比，该闪存的可靠性提高了 3 到 3 倍，写入性能提高了 128 倍。 为了实现这一目标，三星采用了一项新技术，将平面电池层垂直堆叠成 3D 结构。 新型3D V-NAND在单芯片上提供XNUMXGb密度，并采用三星专有的垂直单元结构，该结构基于XNUMXD电荷陷阱闪存（CTF）技术和垂直互连工艺技术，以链接XNUMXD单元阵列。 三星的这一新产品将成为一系列新产品的驱动力，包括消费电子产品以及企业产品和 SSD。
三星的新型 3D V-NAND 是业界首创，并且是一项重大进步，因为 NAND 闪存行业正在考虑如何在将 NAND 光刻尺寸缩小到 10-20 纳米级甚至更高的同时继续降低成本和扩大容量，同时避免影响可靠性。 考虑到这一点，三星评估了他们最初于 2006 年创建的 CTF 技术，其中将电荷临时放置在由氮化硅 (SiN) 组成的闪存非导电层的保持室中。 这与非 3D 技术不同，在非 XNUMXD 技术中，浮动栅极用于防止相邻单元之间的干扰。
在三星历时3年、目前在全球拥有10多项专利申请的300D V-NAND技术中，垂直互连工艺技术最多可堆叠24层。 为此，三星采用蚀刻技术，通过从最高层到底部打孔，以电子方式连接各层。 凭借垂直的 3D 结构，三星正在创造一种方法，通过这种方法他们可以实现更高密度的 NAND 闪存产品，而无需平面缩放，这当然有局限性。
