宣布生产后不久 4GB DRAM 封装, 三星现已开始量产基于通用闪存 (UFS) 256 标准的 2.0 GB 嵌入式内存，用于下一代高端移动设备，这又是一项行业首创。 三星表示，他们的新嵌入式内存将在移动设备上提供出色的性能，并将超过用于 PC 的典型的基于 SATA 的 SSD。
宣布生产后不久 4GB DRAM 封装, 三星现已开始量产基于通用闪存 (UFS) 256 标准的 2.0 GB 嵌入式内存，用于下一代高端移动设备，这又是一项行业首创。 三星表示，他们的新嵌入式内存将在移动设备上提供出色的性能，并将超过用于 PC 的典型的基于 SATA 的 SSD。
全新的256GB嵌入式内存采用三星最先进的V-NAND闪存芯片以及专门设计的高性能控制器。 此外，由于它基于UFS 2.0标准，随机读写分别可以处理高达45,000和40,000 IOPS，比上一代UFS内存的19,000和14,000 IOPS快两倍以上。
三星的 256GB UFS 还利用了两条数据传输通道，顺序读取速度可达 850MB/s，写入速度可达 260MB/s。 三星补充说，这将使 256GB UFS 内存支持大屏幕移动设备上的无缝超高清视频播放和多任务处理功能，包括在搜索图像文件或下载视频剪辑时分屏播放 4K 超高清电影。 使用三星先进的内存技术还可以让新的 UFS 内存芯片更加紧凑，甚至比 micro SD 卡还要小。
三星计划扩展其基于其先进的 V-NAND 闪存（包括新的 256GB UFS）的高端存储产品线，并打算根据全球需求增加其产量。
