Intel と Micron は、今年のフラッシュ メモリ サミットから小さな銀製品を持ち帰りました。両社は、両社の 20nm NAND フラッシュ メモリ プロセス テクノロジにより、最も革新的なフラッシュ メモリ テクノロジ賞を受賞しました。 Intel と Micron の 20nm 8GB NAND チップは、最小のフォーム ファクターで最大の容量を実現します。
20nm 8GB チップの寸法はわずか 118mm で、既存の 30nm 40GB NAND デバイスと比較して基板面積を 25 ～ 8% 削減できます。フラッシュ ストレージ レイアウトの縮小により、システム レベルの効率が向上し、タブレットやスマートフォンなどのデバイスに、より大容量のバッテリーや追加のハードウェアなどを搭載できるスペースが広がります。
NAND はどこまで小型化できるのでしょうか?
現在、SSD市場では、一部の東芝製32nmトグルNANDを採用したドライブを除き、ほとんどのティア1ドライブはIntel/Micron製の25nm NANDを搭載して出荷されています。20nm NANDへの移行は論理的な次のステップですが、ダイシュリンクプロセスには限界があります。多くの指標では、クライアント向けSSDとエンタープライズ向けSSDの両方が2012年に20nm NANDに移行し、2013年中頃から後半にかけてさらに1Xnmまでサイズが縮小すると予測されています。その後、Micronなどの業界リーダーは3D NAND技術を開発しており、容量とドライブ性能の面で大きな新たな可能性が開かれるでしょう。
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