サムスンは、エンタープライズサーバーおよびデータセンター向けに、業界初のTSV（ Through Silicon Via）DDR4メモリを128GBモジュールで量産すると発表しました。さらに、サムスンの新しいTSV RDIMMテクノロジーは、エンタープライズレベルでの超大容量メモリへの道を開きます。新しいTSV DRAMモジュールは、現在入手可能なDRAMモジュールの中で最大の容量と最高のエネルギー効率を誇り、高速かつ信頼性を重視した動作を実現しています。128GB TSV DDR4 RDIMMは、36個の4GB DRAMパッケージに配置された144個のDDR4チップを搭載しており、各パッケージには、高度なTSVパッケージング技術で組み立てられた4個の20nmベースの8Gbチップが含まれています。先週、同社はNetlistと提携して、新しいクラスのメモリソリューションであるNVDIMM-P（NV-P）を製造すると発表しました。
従来のチップパッケージはワイヤボンディングを介してダイスタックを相互接続しますが、TSVパッケージでは、わずかマイクロメートルまで研削され、数百の微細な穴が開けられ、その穴を通過する電極によって垂直に接続されたチップダイが使用されます。これにより、信号伝送の大幅な増加が可能になります。さらに、Samsung の新しい 128GB TSV DDR4 モジュールは、モジュールのパフォーマンスと電力効率を最適化するために、各 4GB パッケージのマスター チップにデータ バッファー機能が組み込まれた独自の設計で構成されています。これにより、次世代サーバー向けの低電力ソリューションと最大 2,400 Mbps の速度が実現します。 Samsung は、この数値は 50GB LRDIMM と比較してパフォーマンスがほぼ 64 倍、電力効率が 2,667% 高いことを示しています。さらに、Samsung の TSV DRAM には、エンタープライズ サーバーのニーズの高まりに合わせて設計された、3,200Mbps および XNUMXMbps を超えるデータ転送速度のモジュールが含まれます。
Samsung は、128GB LRDIMM を含む新しい高性能 TSV DRAM モジュールの完全なラインナップを今後数週間以内に提供する予定です。同社はまた、TSVアプリケーションを高帯域幅メモリ（HBM）や消費者向け製品に拡張する計画も立てている。
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