Intel Corporation と Micron Technology の共同開発ベンチャーの名前である IM Flash Technologies (IMFT) は、世界初の 20 ナノメートル、128Gb、MLC NAND を発表しました。この発表に加えて、両社は64Gb 20nm NANDの量産を開始します。同社の新しい 20nm モノリシック 128Gb デバイスは、わずか 20 個のダイを使用して、指先サイズのパッケージでテラビット (Tb) のデータ ストレージを実現した初めての製品であり、同社の既存の 64nm 333Gb NAND デバイスのストレージ容量とパフォーマンスが XNUMX 倍となり、 XNUMX 秒あたり XNUMX メガ転送 (MT/秒)。
IM Flash Technologies は、従来のアーキテクチャよりも積極的なセル スケーリングを可能にする革新的な新しいセル構造のおかげで、このような偉業を達成できたことを明らかにしました。同社の 20nm NAND は、このような高度なプロセスに固有の問題を克服するために、独自の平面セル構造を使用しています。最初の Hi-K/メタル ゲート スタックを NAND 製造に統合することにより、プレーナ セル構造は標準的な NAND フローティング ゲート セルのスケーリング制約を打ち破ることができました。
インテルとマイクロンは、20nmプロセスで製造された64Gb NANDフラッシュ製品の12月の生産量を増やすことで、2012年の128Gbデバイスへの移行がはるかに容易になると発表した。新しい128Gbデバイスは1月に数量限定で供給開始され、2012年前半には量産が開始される予定だ。この目覚ましい成果により、さらに高密度化とファブ全体の生産量向上が可能になる。インテルとマイクロンはまた、この成果が、他社の開発チームが複雑なストレージソリューションの設計や将来の技術改良に必要な専門知識を蓄積するのに役立つと考えている。
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