Samsung は、業界最高のビット密度を備えた 1 テラビット (Tb) のトリプルレベル セル (TLC) 第 8 世代 V-NAND の量産を開始したと発表しました。この新しい V-NAND は、市場で入手可能な最大のストレージ容量も備えており、次世代のエンタープライズ サーバー システムでより大きなストレージ スペースを実現できます。サムスンは以前にXNUMXを発表しましたth-世代 1Tb TLC V-NAND は、フラッシュ メモリ サミット 2022 および Samsung メモリ テック デイ 2022 で展示されました。 NANDフラッシュの生産能力を拡大 2020年に韓国の平沢で。
Samsung は、業界最高のビット密度を備えた 1 テラビット (Tb) のトリプルレベル セル (TLC) 第 8 世代 V-NAND の量産を開始したと発表しました。この新しい V-NAND は、市場で入手可能な最大のストレージ容量も備えており、次世代のエンタープライズ サーバー システムでより大きなストレージ スペースを実現できます。サムスンは以前にXNUMXを発表しましたth-世代 1Tb TLC V-NAND は、フラッシュ メモリ サミット 2022 および Samsung メモリ テック デイ 2022 で展示されました。 NANDフラッシュの生産能力を拡大 2020年に韓国の平沢で。
サムスンは、第 8 世代 V-NAND が急速に成長する市場の需要に応え、よりユニークな製品やソリューションを開発できるようになると示唆しています。彼らは、ウェーハあたりのビット生産性を大幅に向上させることで、このビット密度を達成することができました。
最新の「Toggle DDR 5.0 インターフェイス」を使用した Samsung の新しい V-NAND テクノロジーは、最大 2.4Gbps の I/O 速度を特徴とし、これは前世代と比べて約 1.2 倍です。これにより、新しい V-NAND は、PCIe 4.0 および PCIe 5.0 のパフォーマンス要件と規格をサポートできるようになります (ただし、後日)。
サムスンは、第 8 世代 V-NAND が次世代エンタープライズ サーバーのストレージ容量の拡大に役立つと考えています。また、その使用を自動車市場にも拡大することも計画しています。
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