サムスン電子株式会社は、「フラッシュボルト」としても知られる第 2 世代の高帯域幅メモリ 2E (HBM2E) をリリースしました。最新世代の HBM16E は XNUMXGB なので、HPC システムに最適であると同時に、スーパーコンピューター、AI 主導のデータ分析、最先端のグラフィックス システムにも役立ちます。 Aquabolt は、この世代が生産されている間も引き続き生産されます。
前世代の Aquabolt の容量は 8GB でした。 Flashbolt は、バッファ チップ上に 16nm クラス (10y) の 1 ギガビット (Gb) DRAM ダイを 16 層垂直に積層することで、40,000GB に達します。さらに、Flashbolt は 16 個を超える「シリコン貫通ビア」(TSV) マイクロバンプの正確な配置で相互接続されており、各 5,600Gb ダイにはこれらの微細な穴が 3.2 個以上含まれています。パフォーマンスに関してサムスンは、最新世代では毎秒 410 ギガビットの信頼できるデータ転送速度とスタックあたり 307GB/秒のメモリ帯域幅を達成できると述べています。これは、前世代の XNUMXGB/s に比べてかなりの改善です。
利用状況
サムスンは2020年上半期に量産を開始する予定だ。
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