StorageReview.com

Micron och Intel avslöjar ny 3D NAND-teknik

konsumenten  ◇  Arbetsstation

Micron Technology och Intel tillkännagav idag tillgängligheten av deras nya 3D NAND-teknik. Den här nya flashminnesteknologin, som utvecklats gemensamt av båda företagen, anses vara världens högsta densitet. Företagen hävdar att de kommer att kunna få tre gånger högre kapacitet än konkurrerande NAND-tekniker.

Flash införs i eller används redan inom de flesta områden, från mobila enheter för konsumenter till företagsinstallationer. Det största problemet som branschen för närvarande står inför är att plana NAND når sin praktiska skalningsgräns. Micron och Intel siktar på att ändra detta med deras 3D NAND som staplar lager av datalagringsceller vertikalt.

Intel och Micron valde att använda en flytande grindcell, som har använts ett tag i branschen, i deras 3D NAND. Detta är första gången flytande grindcell har använts med 3D NAND. Med floating gate cells beprövade meritlista tror Intel och Micron att de kan få bättre prestanda, tillförlitlighet och ökad kvalitet genom att använda denna teknik. Denna nya 3D NAND-teknik gör att flashceller kan staplas vertikalt i 32 lager. Detta kommer att uppnå MLC-matris på 256 Gb och TLC-matris på 384 Gb, som båda fortfarande passar i ett standardpaket. Denna kapacitetsökning gör att M.2 SSD:er kan uppnå en total lagringskapacitet på 3.5 TB eller mer och standard 2.5" SSD:er kommer att ha en total lagringskapacitet på 10 TB eller mer. Denna kapacitetsökning kommer att göra flash mycket mer tilltalande för datacenter som behöver passa förvaring inom en viss densitet.

Viktiga funktioner:

  • Stor kapacitet – Tre gånger så stor kapacitet som befintlig 3D-teknik – upp till 48 GB NAND per dyna – vilket gör att tre fjärdedelar av en terabyte får plats i ett paket med en fingertoppsstorlek.
  • Minskad kostnad per GB – Första generationens 3D NAND är utformad för att uppnå bättre kostnadseffektivitet än plan NAND.
  • Snabb – Hög läs-/skrivbandbredd, I/O-hastigheter och slumpmässig läsprestanda.
  • Grön – Nya vilolägen möjliggör lågenergianvändning genom att bryta strömmen till inaktiv NAND-matris (även när andra dyna i samma paket är aktiva), vilket minskar strömförbrukningen avsevärt i standby-läge.
  • Smart – Innovativa nya funktioner förbättrar latensen och ökar uthålligheten jämfört med tidigare generationer, och gör också systemintegration enklare.

Tillgänglighet

256 Gb MLC samplar med utvalda partners idag och 384 Gb kommer att sampla senare detta kvartal. Produktionen beräknas starta under andra halvan av 2015.

Toshiba tillkännagav också ny 3D NAND-teknik idag.

Intels huvudsajt

Microns huvudsajt

Diskutera den här historien

Engagera dig med StorageReview

Nyhetsbrev | YouTube | Podcast iTunes / Spotify | Instagram | Twitter | TikTok | RSS-flöde

Adam armstrong

Adam är chefsnyhetsredaktör för StorageReview.com och hanterar våra interna och frilansande innehållsteam.