Samsung har startat massproduktionen av 250 GB SATA SSD:er som integrerar företagets 6:e generationens (1xx-lager) 256Gb 3bit V-NAND för globala PC OEMs. Med sin "channel hole etching"-teknik indikerar Samsung att den nya V-NAND lägger till cirka 40 % fler celler till den tidigare 9x-lagers enkelstackstrukturen. Detta görs genom att bygga en elektriskt ledande formstapel med 136 lager, sedan vertikalt genomborra cylindriska hål från topp till botten, vilket skapar en enhetlig 3D-laddningsfälla-blixt (CTF)-celler.
När formstackens höjd ökar i varje cellområde kan fel och läslatenssårbarheter uppstå. För att komma till rätta med detta har Samsung integrerat en hastighetsoptimerad kretsdesign som gör att den kan uppnå den snabbaste dataöverföringshastigheten: under 450μs i skrivning och 45μs i läsning. Samsung indikerar en 10%+ prestandaökning jämfört med föregående generation, med en minskning av mer än 15% i strömförbrukning. Som ett resultat, genom att bara montera tre av de nuvarande stackarna, hävdar företaget att de kommer att erbjuda nästa generations V-NAND-lösningar med över 300 lager utan att kompromissa med chipprestanda eller tillförlitlighet.
Samsung har också minskat antalet kanalhål som krävs för att skapa en chiptäthet på 256 Gb till 670 miljoner hål från (jämfört med mer än 930 miljoner med föregående generation). Detta kommer att möjliggöra minskade chipstorlekar, färre processsteg och över en 20-procentig förbättring av tillverkningsproduktiviteten.
Samsung förväntas erbjuda 512 Gb 3bit V-NAND SSD och eUFS under andra halvan av 2019. Dessutom kommer de att utöka produktionen av 6:e generationens V-NAND-lösningar med högre hastighet och större kapacitet på sitt Pyeongtaek (Korea) campus med början nästa gång år.
Amazon