Samsung har meddelat att de kommer att massproducera branschens första DDR4-minne ( Through Silicon Via, TSV) i 128 GB-moduler för företagsservrar och datacenter. Dessutom banar Samsungs nya TSV RDIMM-teknik väg för minne med ultrahög kapacitet på företagsnivå. Den nya TSV DRAM-modulen marknadsförs som den med den största kapaciteten och den högsta energieffektiviteten av alla DRAM-moduler som för närvarande finns tillgängliga, samtidigt som den presterar med höga hastigheter och med fokus på tillförlitlighet. 128 GB TSV DDR4 RDIMM är utrustad med 144 DDR4-chips arrangerade i 36 4 GB DRAM-kapslar, som var och en innehåller fyra 20-nm-baserade 8 GB-chips monterade med avancerad TSV-kapslingsteknik. Förra veckan tillkännagav företaget ett partnerskap med Netlist för att producera en ny klass av minneslösning , NVDIMM-P (NV-P).
Medan traditionella chippaket sammankopplar dynstaplar via trådbindning, använder TSV-paket chipformar som är nedslipade till bara mikrometer och sedan genomborrade med hundratals fina hål och vertikalt anslutna av elektroder som passerar genom hålen. Detta möjliggör en avsevärd ökning av signalöverföringen. Dessutom består Samsungs nya 128GB TSV DDR4-modul av en unik design där masterchippet i varje 4GB-paket bäddar in databuffertfunktionen för att optimera modulens prestanda och energieffektivitet. Detta skapar en energisnål lösning för nästa generations servrar samt hastigheter på upp till 2,400 50 Mbps. Samsung indikerar att denna siffra är nästan dubbelt så hög prestanda och 64 % mer energieffektiv jämfört med 2,667 GB LRDIMM. Dessutom kommer Samsungs TSV DRAM att inkludera moduler med dataöverföringshastigheter på uppåt 3,200 XNUMX Mbps och XNUMX XNUMX Mbps, designade för att intensifiera företagsserverbehov.
Samsung planerar att erbjuda en komplett serie av sina nya högpresterande TSV DRAM-moduler inom de närmaste veckorna inklusive 128 GB LRDIMM. Företaget planerar också att utöka TSV-applikationer till högbandbreddsminne (HBM) och konsumentprodukter.
Amazon