A Intel e a Micron anunciaram a entrega de flash NAND de 3 bits por célula (3bpc) construído em tecnologia de processo de 25 nm. As amostras estão saindo e a produção da linha completa é esperada para este ano.
A litografia de 8 GB e 25 nm armazena três bits de informação por célula (TLC de célula de nível triplo), em vez do bit tradicional (célula de nível único) ou dois bits (célula de vários níveis). O resultado é um dispositivo mais de 20% menor do que o MLC de 25 nm com a mesma capacidade, que é atualmente o menor dispositivo de 8 GB em produção atualmente.
“Com a introdução em janeiro do menor tamanho de matriz da indústria em 25 nm, rapidamente seguida pela mudança para 3 bits por célula em 25 nm, continuamos a ganhar impulso e a oferecer aos clientes um conjunto atraente de produtos líderes”, disse Tom Rampone, Intel vice-presidente e gerente geral do Intel NAND Solutions Group. “A Intel planeja usar a liderança em design e fabricação da IMFT para fornecer produtos de alta densidade e custo competitivo para nossos clientes com base no novo dispositivo NAND de 8 GB TLC de 25 nm”.
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