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Intel e Micron conquistam a tecnologia de memória flash mais inovadora [FMS 2011]

Empreendimento  ◇  SSD

A Intel e a Micron levaram para casa alguns troféus do Flash Memory Summit deste ano. A dupla ganhou o prêmio de Tecnologia de Memória Flash Mais Inovadora pela tecnologia de processo de memória flash NAND de 20 nm das empresas. O chip NAND de 20 GB e 8 nm da Intel e da Micron oferece a maior capacidade no menor fator de forma.

O chip de 20 GB de 8 nm mede apenas 118 mm e permite uma redução de 30 a 40% no espaço da placa em comparação com os dispositivos NAND de 25 GB e 8 nm existentes. Uma redução no layout de armazenamento flash fornece maior eficiência no nível do sistema e oferece mais espaço em dispositivos como tablets e smartphones para coisas como uma bateria de maior capacidade ou hardware adicional. 

Quanto menor pode NAND ficar?

Atualmente, no mercado de SSDs, a maioria dos drives de primeira linha utiliza a tecnologia NAND de 25nm da Intel/Micron, com exceção de alguns modelos que usam a tecnologia NAND Toggle de 32nm da Toshiba. A transição para a tecnologia NAND de 20nm é um próximo passo lógico, mas o processo de miniaturização do chip tem seus limites. A maioria dos indicadores aponta para uma migração dos SSDs, tanto para clientes quanto para empresas, para a tecnologia NAND de 20nm em 2012, com uma nova redução para 1Xnm prevista para meados ou final de 2013. Depois disso, líderes do setor como a Micron estão desenvolvendo tecnologias NAND 3D, o que abre novas e enormes oportunidades em termos de capacidade e desempenho dos drives.

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Brian Beeler

Brian está localizado em Cincinnati, Ohio e é analista-chefe e presidente da StorageReview.com.