Na semana passada, no Intel Technology and Manufacturing Day realizado em Pequim, na China, a empresa deu atualizações sobre algumas de suas novas tecnologias. Algumas das novas tecnologias apresentadas incluíram atualizações de energia e desempenho para o processo de 10 nm da Intel, planos de alto nível para o primeiro FPGA de 10 nm da Intel e um anúncio de que a empresa está lançando o primeiro NAND 64D de 3 camadas disponível comercialmente para aplicativos de data center.
A Intel avançou seu processo de fabricação de acordo com a Lei de Moore, basicamente eles pretendem fabricar produtos mais baratos com melhor desempenho/capacidades a cada ano. A Intel planeja continuar impulsionando a Lei de Moore, enquanto colhe os benefícios, ao revelar sua nova tecnologia.
A Intel afirmou que está uma geração completa à frente de outras tecnologias de 10 nm em termos de densidade e desempenho do transistor. Apresentando os transistores e pitches de metal mais rígidos do mundo, a tecnologia de 10nm da Intel foi criada com hiperdimensionamento, para a maior densidade do setor. Por hiperescalonamento, a empresa está se referindo à melhoria da densidade do transistor lógico de 2.7x obtida nos processos de 14 nm e 10 nm da empresa. A Intel aproveitou o evento para exibir seu wafer de 10 nm “Cannon Lake” pela primeira vez.
A tecnologia FinFET de baixo consumo de energia da Intel para aplicativos móveis, 22FFL, recebeu uma atualização de energia e desempenho. O 22FFL atingiu o desempenho de 2 GHz com potência ultrabaixa de vazamento mais de 100 vezes menor. Assim como o “Cannon Lake”, o 22FFL também foi exibido pela primeira vez.
A Intel deu uma atualização em sua tecnologia “Falcon Mesa”, uma próxima geração de FPGAs usando a tecnologia de processo de 10 nm e plataforma de fundição. O novo FPGA foi declarado capaz de oferecer novos níveis de desempenho para suportar as crescentes demandas de largura de banda de data centers, empresas e ambientes de rede. Outros benefícios incluem:
- Links de transceptor serial de 112 Gbps para atender aos requisitos de largura de banda mais exigentes em data centers, empresas e ambientes de rede de última geração.
- A mais recente interconexão de dispositivos periféricos, incluindo suporte a PCI Express Gen4 x16 com taxas de dados de até 16 GT/s por faixa para data centers de próxima geração.
A empresa anunciou que seu acordo com a ARM e a Intel Custom Foundry está em andamento. O acordo centrou-se na aceleração do desenvolvimento e implementação de SoCs ARM no processo de 10nm da Intel. A Intel mostrou os primeiros resultados deste acordo em um wafer de 10 nm contendo núcleos de CPU ARM Cortex-A75 implementados com fluxos de design padrão da indústria, permitindo desempenho superior a 3 GHz.
E, finalmente, a Intel anuncia que está enviando a primeira célula de nível triplo (TLC) de 64 camadas (TLC) do setor, 3D NAND SSD (unidade de estado sólido) para aplicativos de data center desde o início de agosto. Este NAND foi projetado para ajudar os clientes a melhorar significativamente a eficiência do armazenamento. Espera-se que o produto seja disponibilizado de forma mais ampla - atualmente, está sendo enviado apenas para clientes selecionados - até o final do ano.
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