A Micron começou a testar um novo dispositivo TLC NAND com clientes selecionados, na expectativa de produção total no segundo trimestre de 2013. O novo dispositivo de 128 GB usa o processo Microns de 20 nm, resultando em um tamanho total de apenas 146 milímetros quadrados, mais de 25% menor do que um dispositivo Micron MLC NAND de capacidade semelhante.
A memória flash de triplo nível (TLC) armazena três bits por célula, em comparação com dois bits para MLC e um para SLC. A maior densidade de armazenamento da TLC tem como contrapartida a menor resistência e desempenho, razão pela qual a maioria dos dispositivos TLC existentes se destina a aplicações de armazenamento removível, como cartões de memória flash e pen drives. No entanto, os novos avanços na arquitetura NAND TLC demonstraram o potencial da TLC para continuar a aumentar sua participação no mercado de armazenamento flash. A Samsung já oferece o SSD 840 baseado em TLC e as soluções de SSD NAND TLC esperadas para a plataforma OCZ Everest em um futuro próximo.
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