A Samsung anunciou que sua linha de fabricação de memória em Xi'an China iniciou operações de fabricação em larga escala em sua nova instalação, que fabricará os avançados chips de memória flash NAND da Samsung, 3D V-NAND.
O vice-presidente e CEO da Samsung, Dr. Oh-Hyun Kwon, fez de tudo para o evento de inauguração da fábrica, recebendo um grande número de participantes, incluindo dignitários do governo, como Zhao Zhengyong, secretário do Comitê do Partido Comunista da China da província de Shaanxi, Lou Qinjian, governador da província de Shaanxi, e Young-se Kwon, Embaixador da República da Coreia na República Popular da China. Outros convidados incluíram fornecedores e clientes da Samsung.
A construção da nova fábrica levou aproximadamente 20 meses, que começou em setembro de 2012. A área total da fábrica é de aproximadamente 750,000 pés quadrados localizados em 282 acres de terra.
Ao iniciar as operações na China, a Samsung garantiu uma sólida base de produção de memória em um mercado onde aproximadamente 50% do flash NAND global é gerado; tudo a partir de bases de produção que são operadas por várias empresas de TI. A Samsung planeja concluir a construção de todo o complexo de Xi'an, incluindo uma instalação de montagem e uma linha de teste, até o final de 2014.
Amazon