Pouco tempo depois de anunciar a produção de módulos de DRAM de 4 GB , a Samsung iniciou a produção em massa de memória integrada de 256 gigabytes baseada no padrão Universal Flash Storage (UFS) 2.0 para dispositivos móveis de última geração, outra inovação inédita no setor. A Samsung indica que sua nova memória integrada proporcionará desempenho excepcional em dispositivos móveis e superará o de um SSD SATA típico para PCs.
A nova memória incorporada de 256 GB usa os chips de memória flash V-NAND mais avançados da Samsung, bem como um controlador de alto desempenho especialmente projetado. Além disso, por ser baseado no padrão UFS 2.0, pode lidar com até 45,000 e 40,000 IOPS para leitura e gravação aleatória, respectivamente, o que é mais de duas vezes mais rápido que os 19,000 e 14,000 IOPS da geração anterior de memória UFS.
O UFS de 256 GB da Samsung também utiliza duas vias de transferência de dados, que é capaz de apresentar 850 MB/s em leitura sequencial enquanto atinge 260 MB/s em gravações. A Samsung acrescenta que isso permitirá que a memória UFS de 256 GB suporte reprodução de vídeo Ultra HD contínua e funcionalidade multitarefa em dispositivos móveis de tela grande, incluindo a reprodução de filmes 4K Ultra HD em uma tela dividida durante a pesquisa de arquivos de imagem ou o download de videoclipes. O uso da tecnologia de memória avançada da Samsung também permite que os novos chips de memória UFS sejam totalmente compactos e ainda menores do que um cartão micro SD.
A Samsung planeja estender suas linhas de armazenamento premium baseadas em sua memória flash V-NAND avançada (incluindo o novo UFS de 256 GB) e pretende aumentar seu volume de produção de acordo com a demanda global.
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