A Samsung anunciou o início da produção em massa dos primeiros chips de DRAM DDR4 de 8 Gb com tecnologia de 10 nanômetros do setor, bem como dos módulos derivados deles. A Samsung indica que isso melhora significativamente a produtividade do wafer e aumenta a taxa de transferência de dados para 3,200 Mbps, ambos 30% mais rápidos do que a DRAM DDR4 de 8 Gb com tecnologia de 20 nm. Os novos módulos também consomem de 10 a 20% menos energia em comparação com seus equivalentes baseados no processo de 20 nm. No início deste ano, a Samsung anunciou a produção em massa do pacote de DRAM HBM2 de 4 GB e da memória integrada de 256 GB baseada em UFS 2.0.
A Samsung conseguiu criar essa nova estrutura de célula de classe de 10 nm, aproveitando uma tecnologia de design de circuito proprietária juntamente com litografia de padrão quádruplo. Embora o padrão quádruplo permitisse o uso de equipamentos de fotolitografia existentes, foi a base tecnológica interna da Samsung que permitiu o desenvolvimento da DRAM de classe 10nm de última geração.
Além disso, a tecnologia refinada de deposição de camada dielétrica facilitou melhorias adicionais de desempenho na nova classe DRAM de 10 nm. A Samsung acrescenta que seus engenheiros aplicaram camadas dielétricas ultrafinas com “uniformidade sem precedentes” a uma espessura de apenas um dígito angstrom nos capacitores das células. Isso resultou na capacitância necessária para maior desempenho da célula.
A Samsung planeja introduzir uma solução DRAM móvel de classe 10nm com alta densidade e velocidade, cujo lançamento está previsto para o final deste ano. A empresa também espera estender sua linha de DRAM de 20 nm com seu novo portfólio de DRAM de classe de 10 nm durante 2016.
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