A Samsung Electronics anunciou o início da produção em massa do primeiro pacote de DRAM de 4 GB do setor, baseado na interface de memória de alta largura de banda de segunda geração (HBM2). Projetado para computação de alto desempenho (HPC), gráficos avançados, sistemas de rede e servidores corporativos, a Samsung indica que ele terá velocidade mais de sete vezes superior às limitações de desempenho da DRAM atual, resultando em maior capacidade de resposta para tarefas de computação de ponta. Este anúncio segue o lançamento, pela empresa, de um módulo RDIMM DDR4 3D TSV de 128 GB em outubro passado.
Na foto, 128 GB 3D TSV DDR4 RDIMM
Aproveitando a tecnologia de processo de 20 nanômetros mais eficiente da Samsung e o design avançado do chip HBM, o pacote HBM4 de 2 GB é criado empilhando uma matriz de buffer na parte inferior e quatro matrizes de núcleo de 8 Gb na parte superior (uma única matriz contém mais de 5,000 orifícios TSV). A Samsung explica que eles se interconectam verticalmente por orifícios e microprotuberâncias TSV. O novo pacote DRAM da Samsung também dobra a largura de banda da geração anterior com 256 GBps. Além disso, ele permite maior eficiência de energia dobrando a largura de banda por watt em uma solução baseada em 4Gb-GDDR5 enquanto incorpora a funcionalidade ECC para alta confiabilidade.
A Samsung indica que planeja produzir um pacote HBM8 DRAM de 2 GB ainda este ano, o que permitirá que os designers se beneficiem da economia de espaço em mais de 95% em comparação com o GDDR5 DRAM. Como resultado, soluções mais otimizadas para dispositivos compactos que requerem recursos de computação gráfica de alto nível serão possíveis.
A Samsung acrescenta que aumentará gradualmente a taxa de volume de produção de seu HBM2 DRAM ao longo de 2016 para atender à demanda do mercado por sistemas de rede e servidores.
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