A Samsung anunciou o desenvolvimento do primeiro chip de memória de alta largura de banda do setor, fabricado com a tecnologia 3D-TSV (Through Silicon Via) de 12 camadas. A memória de alta largura de banda (HBM) é utilizada em diversos componentes de computador usados em aplicações de inteligência artificial e aprendizado de máquina, como placas gráficas de última geração, FPGAs, CPUs e dispositivos de rede. Anteriormente, o máximo que se conseguia era 8 camadas. Fundada em 1938, a Samsung é reconhecida por seus produtos eletrônicos e tem sido uma das principais impulsionadoras nessa área há algum tempo. Este é o segundo avanço da empresa na área de HBM neste ano; em março passado, anunciaram o desenvolvimento de um chip HBM2E de altíssima capacidade, chamado Flashbolt, com largura de banda de dados de 410 GB/s e 16 GB de memória.
A nova tecnologia da Samsung empilha 12 chips DRAM na mesma espessura de 720㎛ de seus atuais produtos HBM8 de 2 camadas. Atingir esse aumento de cinquenta por cento na densidade requer mais de sessenta mil furos TSV, o que representa um desafio significativo de produção e a Samsung tem sido compreensivelmente cautelosa sobre quando exatamente esses novos chips estarão disponíveis para os fabricantes começarem a incluí-los em seus chips de processamento. A única coisa que a Samsung nos disse até agora é que eles poderão produzi-los em massa em breve, sugerindo que eles ainda nem finalizaram as linhas de produção. Assim que os fabricantes colocarem as mãos neles, não deve demorar muito para que cheguem às mãos dos consumidores, pois compartilham a mesma espessura (e presumivelmente outra dimensão de fator de forma, embora a Samsung não tenha dito isso), como a geração atual de memória HBM2.
Este é o segundo avanço na fabricação de HBM2 que a Samsung fez até agora em 2019. Em março deste ano, a Samsung anunciou o desenvolvimento de um chip HBM2E chamado Flashbolt com o dobro da capacidade de memória, 16 GB, dos chips atualmente no mercado. Combinando os avanços exibidos no Flashbolt com seu mais novo desenvolvimento, permitindo que eles embalem metade do número de camadas no mesmo espaço, a Samsung está prevendo alguns números muito impressionantes para seu próximo chip de memória de alta largura de banda ainda não nomeado. A Samsung diz que o novo chip terá capacidade de 24 GB. Eles ainda não nos disseram qual será a nova largura de banda.
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