Intel gjorde en märklig sak den 19 juli. Det meddelade att de nu producerade sin QLC PCIe SSD på sitt Twitter-nyhetskonto med nästan inga åtföljande detaljer. Sedan dess har Intel släppt lite ytterligare information men det har bekräftat att detta kommer att ingå i Intels nya D5-produktfamilj för datacenter. Vi förväntar oss att lära oss mer vid nästa månads Flash Memory Summit (6-9 augusti) i Santa Clara. En av Intels Sr. Vps, Robert B. Crooke, kommer att hålla en keynote delvis om 3D NAND den 8 augusti.
QLC står för quad-level celler och är nästa steg bortom de redan vanliga trippelnivåcellerna (TLC). Som namnet indikerar packar QLC i 4 bitar per cell, en mer än TLC. Vid sidan av att packa in 33 % fler bitar per cell, kan vi rimligen förvänta oss en ytterligare minskning av skrivhastigheter och programraderingscykler samt en ökning av strömförbrukning och felfrekvenser; sannolikt nödvändiggör utvecklingen av ny felkorrigerande kod och kontroller. Redan i januari fick vi en titt på specifikationerna för Intels planerade produkter för året. Spännande är diagrammet inklusive 660p som använder QLC-teknik och specificerade slumpmässiga läs-/skrivhastigheter på upp till 150K/150K IOPS och sekventiella läs-/skrivhastigheter på upp till 1800/1100 MB/s. I avsaknad av några verifierbara detaljer om den SSD Intel retade på Twitter kan vi bara spekulera i om dess prestanda kommer att vara i samma bollplank, men åtminstone båda enheterna kommer att ha PCIe-gränssnitt.
Intel utvecklade sin QLC-teknik tillsammans med Micron. I maj rapporterade vi om Microns tillkännagivande att de redan hade börjat leverera sina QLC SSD-diskar . Vid den tidpunkten förväntade sig Micron bred marknadstillgänglighet i höst, vilket kan ske så tidigt som om fem veckor.
Amazon