Inte långt efter att ha tillkännagivit produktionen av ett 4 GB DRAM-paket har Samsung nu börjat massproducera 256 gigabyte inbyggt minne baserat på Universal Flash Storage (UFS) 2.0-standarden för nästa generations avancerade mobila enheter, ytterligare en branschnyhet. Samsung indikerar att deras nya inbyggda minne kommer att ge enastående prestanda på mobila enheter och kommer att överträffa prestandan hos en typisk SATA-baserad SSD för PC-datorer.
Det nya inbyggda minnet på 256 GB använder Samsungs mest avancerade V-NAND-flashminne samt en specialdesignad högpresterande kontroller. Dessutom, eftersom den är baserad på UFS 2.0-standarden, kan den hantera upp till 45,000 40,000 och 19,000 14,000 IOPS för slumpmässig läsning respektive skrivning, vilket är mer än två gånger snabbare än XNUMX XNUMX och XNUMX XNUMX IOPS från den tidigare generationens UFS-minne.
Samsungs 256GB UFS utnyttjar också två banor för dataöverföring, som kan skryta med 850MB/s i sekventiell läsning samtidigt som den når 260MB/s i skrivning. Samsung tillägger att detta kommer att tillåta UFS-minnet på 256 GB att stödja sömlös Ultra HD-videouppspelning och multitasking-funktionalitet på mobila enheter med stor skärm, inklusive uppspelning av 4K Ultra HD-filmer på en delad skärm medan du söker efter bildfiler eller laddar ner videoklipp. Genom att använda Samsungs avancerade minnesteknik kan de nya UFS-minneschipsen också vara tätt kompakta och ännu mindre än ett micro SD-kort.
Samsung planerar att utöka sina premiumlagringssortiment som är baserade på dess avancerade V-NAND-flashminne (inklusive det nya 256 GB UFS) och har för avsikt att öka sin produktionsvolym i enlighet med den globala efterfrågan.
Amazon