Samsung har meddelat att man har börjat massproducera branschens första 2:a generationens 10-nanometer klass (1y-nm), 8Gb DDR4 DRAM. Designad för avancerade datorsystem från och med nu och i framtiden, är Samsungs nya RAM-minne utpekad som det högst presterande och mest energieffektiva 8Gb DRAM-chipet som finns tillgängligt tillsammans med de minsta dimensionerna.
Andra generationens 8 GB DDR4 i 10nm-klass har en produktivitetsökning på ungefär 30 % jämfört med föregående generation från april 2016. Dessutom anger Samsung att dess prestanda och energieffektivitet har förbättrats med cirka 10 respektive 15 procent tack vare företagets avancerade, egenutvecklade kretsdesignteknik. Andra generationens 8 GB DDR4 kan också arbeta med 3 600 Mbps per pin, vilket är 400 Mbps snabbare än föregående generation.
Samsung förklarar att man kunde åstadkomma detta genom att tillämpa ny teknik utan att behöva använda en EUV-process. Denna nya DRAM-teknik gynnades också av ett högkänsligt celldataavkänningssystem, som möjliggör en mer exakt bestämning av data som lagras i varje cell, och ett progressivt "air spacer"-schema, som placeras runt dess bitlinjer för att avsevärt minska parasitisk kapacitans. Samsung kunde därmed avsevärt öka nivån på kretsintegration och tillverkningsproduktivitet.
Tillgänglighet
Samsung har slutfört valideringen av 2:a generationens 10nm-klass DDR4-moduler med CPU-tillverkare och planerar att även tillverka mer av sin vanliga 1:a generationens 10nm-klass DRAM.
Amazon