Idag meddelade Western Digital Corp. att man framgångsrikt har utvecklat fyra bitar per cell, X4, flashminnesarkitektur som erbjuder 64-lagers 3D NAND, BiCS3, teknologi. WD har tagit sin innovation av X4-teknik på sin 2D NAND, byggd på det (båda utgör en teknisk och kommersiell aspekt) och utvecklat den nya X4-tekniken för 3D NAND. WD kommer att visa upp nya SSD-enheter med BiCS3 X4-tekniken i augusti på Flash Memory Summit i Santa Clara, Kalifornien.
Western Digital har en lång meritlista av branschledande innovationer inom flashteknik, nästan 30 år tillbaka i tiden. Dessa inkluderar MLC-flashtekniker (multi-level cell) som använder två bitar (X2) och tre bitar (X3) per cell. Genom att utnyttja företagets djupa vertikala integrationsmöjligheter (inklusive bearbetning av kiselskivor, enhetsteknik för att tillhandahålla sexton distinkta datanivåer i varje lagringsnod och systemexpertis för övergripande flashhantering) kunde företaget lansera denna nya X4-teknik. Den nya BiCS3 X4-tekniken uppges leverera en lagringskapacitet på 768 gigabit på ett enda chip, en ökning med 50 % från det tidigare 512 gigabit-chippet som möjliggjordes med arkitekturen med tre bitar per cell (X3). Denna kapacitetsökning kommer fortfarande att kunna leverera prestanda som är jämförbar med BiCS3 X3-tekniken, enligt WD.
3D NAND X4-tekniken kommer sannolikt att utnyttjas i flera av WD-produktlinjerna, vilket ökar kapaciteten när den integreras. WD avser också att lägga till X4-tekniken till framtida generationer av sin 3D NAND-teknik, inklusive 96-lagers BiCS4.
Amazon