StorageReview.com

Intel a Micron představují 25nm Triple Level Cell NAND

Spotřebitel

Společnosti Intel a Micron oznámily dodávku NAND flash pamětí s 3bitovou kapacitou na buňku (3bpc), vyrobených 25nm procesní technologií. Vzorky jsou již k dispozici a plnohodnotná výroba se očekává v tomto roce.

Intel 25nm TLC

8GB 25nm litografie ukládá tři bity informací na buňku (trojúrovňová buňka TLC), namísto tradičního jednoho bitu (jednoúrovňová buňka) nebo dvou bitů (víceúrovňová buňka). Výsledkem je zařízení o více než 20 procent menší než 25nm MLC se stejnou kapacitou, které je v současnosti nejmenším 8GB zařízením vyráběným v rámci jedné technologie. 

„S lednovým uvedením nejmenší velikosti čipu v oboru s 25nm technologií, po kterém rychle následoval přechod na 3 bity na buňku u 25nm technologie, i nadále získáváme na dynamice a nabízíme zákazníkům přesvědčivou sadu špičkových produktů,“ řekl Tom Rampone, viceprezident společnosti Intel a generální ředitel skupiny Intel NAND Solutions Group. „Intel plánuje využít vedoucí pozice společnosti IMFT v oblasti designu a výroby k tomu, aby našim zákazníkům dodával produkty s vyšší hustotou a konkurenceschopnou cenou, založené na novém 8GB zařízení TLC 25nm NAND.“

Diskutujte o tomto příběhu

Zapojte se do StorageReview

Zpravodaj | YouTube | Podcast iTunes / Spotify | Instagram | Twitter | TikTok | RSS kanál

Brian Beeler

Brian sídlí v Cincinnati ve státě Ohio a je hlavním analytikem a prezidentem společnosti StorageReview.com.