Společnost Micron Technology, Inc. dnes oznámila nový pokrok v oblasti škálování DRAM. Micron tvrdí, že je první společností vyrábějící paměti, která zahájila hromadnou výrobu 16GB produktů DDR4 s využitím 1z nm procesní technologie. Společnost také oznamuje hromadné dodávky 16GB nízkoenergetických pamětí DRAM s dvojitou datovou rychlostí 4X (LPDDR4X) v vícečipových pouzdrech založených na UFS (uMCP4).
Výroba 1z nm technologie představuje vývoj a masovou výrobu nejmenšího uzlu DRAM v oboru. Nová 1z nm 16Gb DDR4 paměť od společnosti Micron má údajně nabídnout vyšší bitovou hustotu, vylepšený výkon a zároveň nižší cenu než uzel 1Y nm. Nová technologie je dalším důkazem snahy společnosti Micron o inovace v oblasti výkonu a spotřeby energie u svých produktových řad výpočetní DRAM (DDR4), mobilní DRAM (LPDDR4) a grafické DRAM (GDDR6). Vylepšení výkonu a výkonu v menším balení budou ideální pro nově vznikající technologie, jako je umělá inteligence, autonomní vozidla, 5G, mobilní zařízení a hry.
Jak je uvedeno výše, menší uzly mohou přinést několik výhod. Mezi tyto výhody patří až 40% snížení spotřeby energie (ve srovnání s produkty předchozí generace založenými na 8Gb DDR4). Nižší spotřeba energie je důležitá pro mobilní zařízení, která hledají delší výdrž baterie. Zahájení přechodu na 1z nm dává společnosti Micron náskok v oblasti nabízení nových výhod zákazníkům.
Amazon