Společnost Samsung zahájila hromadnou výrobu svého 1TB integrovaného úložiště Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, určeného pro použití v mobilních aplikacích nové generace. Stejně jako uvedení 128GB verze se jedná o novinku v oboru. Tato nová technologie také umožní uživatelům chytrých telefonů mít podobnou úložnou kapacitu jako prémiový notebook, čímž eliminuje nutnost doplňovat úložiště kartami microSD.
Přestože má nová eUFS dvojnásobnou kapacitu ve srovnání s předchozí verzí, používá stejnou velikost pouzdra (11.5 mm x 13.0 mm). Samsungu se toho podařilo dosáhnout kombinací 16 vrstev své nejpokročilejší 512GB V-NAND flash paměti a nově vyvinutého proprietárního řadiče.
Uvádí se, že 1TB eUFS dosahuje přenosové rychlosti čtení až 1 GB/s, což je zhruba dvojnásobek rychlosti tradičního spotřebitelského SATA SSD disku. Společnost Samsung dodává, že rychlost náhodného čtení se ve srovnání s předchozí 512GB verzí zlepšila až o 38 % a uvádí maximální výkon 58 000 IOPS. Očekává se, že náhodné zápisy dosáhnou až 50 000 IOPS.
dostupnost
Neexistuje žádné přesné datum, kdy bude nová 1TB eUSF od Samsungu všeobecně implementována v mobilních zařízeních; očekává se však, že v první polovině roku 2019 rozšíří výrobu 512Gb V-NAND ve svém závodě v Pyeongtaeku. Poptávka po jejich nových 1TB eUFS bude ze strany mobilních společností nepochybně velmi vysoká.
Amazon