Nedlouho poté, co společnost Samsung oznámila výrobu 4GB DRAM pamětí , zahájila sériovou výrobu 256gigabajtové vestavěné paměti založené na standardu Universal Flash Storage (UFS) 2.0 pro mobilní zařízení nové generace, což je další novinka v tomto odvětví. Společnost Samsung uvádí, že její nová vestavěná paměť poskytne vynikající výkon na mobilních zařízeních a překoná typické SSD disky s rozhraním SATA pro osobní počítače.
Nová integrovaná paměť s kapacitou 256 GB využívá nejpokročilejší flash paměťové čipy V-NAND od společnosti Samsung a také speciálně navržený vysoce výkonný řadič. Navíc, protože je založena na standardu UFS 2.0, dokáže zpracovat až 45 000 a 40 000 IOPS pro náhodné čtení a zápis, což je více než dvakrát rychlejší než 19 000 a 14 000 IOPS u předchozí generace pamětí UFS.
256GB paměť UFS od Samsungu také využívá dva datové kanály, které dosahují rychlosti sekvenčního čtení 850 MB/s a zápisu 260 MB/s. Samsung dodává, že to umožní 256GB paměti UFS podporovat bezproblémové přehrávání Ultra HD videa a multitasking na mobilních zařízeních s velkou obrazovkou, včetně přehrávání 4K Ultra HD filmů na rozdělené obrazovce při vyhledávání obrazových souborů nebo stahování videoklipů. Použití pokročilé paměťové technologie od Samsungu také umožňuje, aby nové paměťové čipy UFS byly velmi kompaktní a dokonce menší než karta micro SD.
Společnost Samsung plánuje rozšířit svou řadu prémiových úložišť založených na pokročilých flash pamětech V-NAND (včetně nových 256GB UFS) a hodlá zvýšit objem výroby v souladu s globální poptávkou.
Amazon