Společnost Samsung oznámila, že zahájila hromadnou výrobu prvních 10nanometrových čipů DDR4 DRAM s kapacitou 8 GB a z nich odvozených modulů. Společnost Samsung uvádí, že to výrazně zlepšuje produktivitu waferů a zvyšuje rychlost přenosu dat na 3 200 Mb/s, což je o 30 % rychlejší než u 20nm 8Gb DDR4 DRAM. Nové moduly také spotřebovávají o 10 až 20 procent méně energie ve srovnání s jejich ekvivalenty vyrobenými 20nm procesem. Začátkem tohoto roku společnost Samsung oznámila hromadnou výrobu pouzdra HBM2 4GB DRAM a 256GB vestavěné paměti založené na UFS 2.0.
Společnost Samsung dokázala vytvořit tuto novou buněčnou strukturu třídy 10 nm využitím patentované technologie návrhu obvodů v kombinaci s litografií se čtyřnásobným vzorováním. Čtyřnásobné vzorování sice umožnilo použití stávajícího fotolitografického zařízení, ale vývoj DRAM nové generace třídy 10 nm umožnily vlastní technologické základy společnosti Samsung.
Navíc zdokonalená technologie nanášení dielektrických vrstev umožnila další zlepšení výkonu v nové 10nm DRAM paměti. Společnost Samsung dodává, že její inženýři nanesli na článkové kondenzátory ultratenké dielektrické vrstvy s „bezprecedentní uniformitou“ na tloušťku pouhého jednoho Å. To vedlo k potřebné kapacitě pro vyšší výkon článku.
Společnost Samsung plánuje představit mobilní DRAM řešení třídy 10nm s vysokou hustotou a rychlostí, jehož uvedení na trh je naplánováno na konec tohoto roku. Společnost také očekává, že v průběhu roku 2016 rozšíří svou řadu 20nm DRAM o nové portfolio DRAM třídy 10nm.
Amazon