Společnost Samsung oznámila, že zahájila hromadnou výrobu první 8GB DDR4 DRAM druhé generace vyrobené 10nanometrovou technologií (1y-nm). Nová paměť RAM od společnosti Samsung, určená pro špičkové výpočetní systémy od současnosti i v budoucnu, je propagována jako nejvýkonnější a energeticky nejúspornější 8GB DRAM čip na trhu v kombinaci s nejmenšími rozměry.
Druhá generace 10nm třídy 8 GB DDR4 se může pochlubit zhruba 30% nárůstem produktivity oproti předchozí generaci z dubna 2016. Společnost Samsung navíc uvádí, že její výkon a energetická účinnost se zlepšily přibližně o 10, respektive 15 procent, a to díky pokročilé, patentované technologii návrhu obvodů společnosti. Druhá generace 8 GB DDR4 dokáže pracovat s rychlostí 3 600 Mb/s na pin, což je o 400 Mb/s rychlejší než předchozí generace.
Společnost Samsung vysvětluje, že toho dokázala dosáhnout aplikací nových technologií bez nutnosti použití procesu EUV. Tato nová technologie DRAM také těží z vysoce citlivého systému snímání dat v buňkách, který umožňuje přesnější určení dat uložených v každé buňce, a z progresivního schématu „vzduchových distančních prvků“, které jsou umístěny kolem bitových linek, aby se výrazně snížila parazitní kapacita. Společnost Samsung tak dokázala výrazně zvýšit úroveň integrace obvodů a produktivitu výroby.
dostupnost
Společnost Samsung dokončila validaci modulů DDR4 druhé generace třídy 10nm s výrobci procesorů a plánuje také vyrábět více ze svých běžných modulů DRAM třídy 10nm první generace.
Amazon