Společnost Samsung Electronics oznámila zahájení hromadné výroby prvního 4GB DRAM modulu v oboru, založeného na rozhraní HBM2 (High Bandwidth Memory) druhé generace. Tento modul, určený pro HPC, pokročilou grafiku, síťové systémy a podnikové servery, se bude pyšnit více než sedminásobnou rychlostí oproti současným omezením výkonu DRAM, což povede k rychlejší odezvě při náročných výpočetních úlohách. Toto navazuje na představení 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM v říjnu loňského roku.
Na obrázku je 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM
Pouzdro 4GB HBM2, které využívá nejefektivnější 20nanometrovou procesní technologii od společnosti Samsung a pokročilý design čipu HBM, je vytvořeno uspořádáním vyrovnávací čipové sady dole a čtyř 8GB jaderných čipů nahoře (jeden čip obsahuje přes 5 000 otvorů TSV). Společnost Samsung vysvětluje, že se pak vertikálně propojují pomocí otvorů TSV a mikrovýstupků. Nové pouzdro DRAM od společnosti Samsung také zdvojnásobuje šířku pásma předchozí generace na 256 GB/s. Kromě toho umožňuje vyšší energetickou účinnost zdvojnásobením šířky pásma na watt oproti řešení založenému na 4Gb GDDR5 a zároveň zahrnuje funkci ECC pro vysokou spolehlivost.
Společnost Samsung uvádí, že v tomto roce plánuje vyrobit 8GB HBM2 DRAM pouzdro, které návrhářům umožní ušetřit místo o více než 95 procent ve srovnání s GDDR5 DRAM. Díky tomu budou možná optimálnější řešení pro kompaktní zařízení, která vyžadují vysoce výkonné grafické výpočetní schopnosti.
Společnost Samsung dodává, že v průběhu roku 2016 bude postupně zvyšovat objem výroby svých pamětí HBM2 DRAM, aby uspokojila poptávku trhu po síťových systémech a serverech.
Amazon