Společnost Samsung oznámila, že vyvinula první vysokorychlostní paměťový čip v oboru vyrobený s využitím 12vrstvé technologie 3D-TSV (Through Silicon Via). Vysokorychlostní paměť (HBM) se používá v mnoha počítačových komponentách používaných v aplikacích umělé inteligence a strojového učení, jako jsou špičkové grafické karty, FPGA, CPU a síťová zařízení. Dříve bylo nejlepší, co kdo mohl udělat, osmivrstvá. Společnost Samsung byla založena v roce 1938 a je dobře známá svými elektronickými produkty. Již nějakou dobu je jedním z hlavních hybatelů v této oblasti. Působivé je, že se jedná o druhý pokrok, kterého letos v oblasti HBM dosáhli; loni v březnu oznámili vývoj velmi vysokokapacitního čipu HBM2E s názvem Flashbolt s datovou propustností 410 GB/s a 16 GB paměti.
Nová technologie od Samsungu spočívá v ukládání 12 DRAM čipů o stejné tloušťce 720 ㎛ jako u jejich současných 8vrstvých produktů HBM2. Dosažení tohoto padesátiprocentního nárůstu hustoty vyžaduje více než šedesát tisíc otvorů TSV, což představuje značnou výrobní výzvu, a Samsung byl pochopitelně opatrný ohledně toho, kdy přesně budou tyto nové čipy k dispozici výrobcům, aby je mohli začít začleňovat do svých procesorových čipů. Jediné, co nám Samsung zatím sdělil, je, že je bude moci brzy hromadně vyrábět, což naznačuje, že ještě ani nedokončil výrobní linky. Jakmile se k nim výrobci dostanou, nemělo by trvat dlouho, než se dostanou k zákazníkům, protože sdílejí stejnou tloušťku (a pravděpodobně i jiný tvarový faktor, ačkoli to Samsung neuvedl) jako současná generace pamětí HBM2.
Jedná se o druhý pokrok ve výrobě HBM2, kterého společnost Samsung v roce 2019 dosáhla. V březnu letošního roku společnost Samsung oznámila vývoj čipu HBM2E s názvem Flashbolt s dvojnásobnou kapacitou paměti, 16 GB, oproti čipům, které jsou v současnosti na trhu. Kombinací pokroku prezentovaného ve Flashboltu a jejich nejnovějšího vývoje, který jim umožňuje umístit polovinu méně vrstev do stejného prostoru, společnost Samsung předpovídá velmi působivá čísla pro svůj dosud nepojmenovaný další vysokorychlostní paměťový čip. Samsung uvádí, že nový čip bude mít kapacitu 24 GB. Zatím nám neprozradili, jaká bude nová šířka pásma.
Amazon