Společnost Samsung Electronics právě oznámila, že zahájila výrobu 20nm NAND čipů pro použití v paměťových kartách SD a vestavěných řešeních. Nový proces, který vylepšuje 30nm proces, přináší lepší výkon a hustotu pro úložná řešení. Nový 32GB (gigabitový) MLC NAND čip rozšiřuje portfolio úložných řešení společnosti Samsung.
Podle společnosti Samsung mají 20nm MLC NAND čipy o 50 procent vyšší produktivitu než předchozí generace 30nm NAND. Zápisový výkon 8GB SD karty je o 30 % rychlejší než u SD karet založených na 30nm technologiích. Díky tomu má paměť rychlostní hodnocení 10 (20 MB/s čtení, 10 MB/s zápis). Úroveň spolehlivosti je srovnatelná s 30nm technologiemi.
První čipy vyrobené 20nm technologií byly dokončeny v březnu a vzorky se nyní odesílají zákazníkům. Výroba nových čipů se rozšíří letos na podzim. Paměťové karty s 20nm čipy budou mít kapacitu od 4 GB do 64 GB.
Amazon