Na konferenci Flash Memory Summit (FMS) 2017 společnost Samsung Electronics Co., Ltd. oznámila několik nových paměťových řešení a technologií V-NAND (Vertical NAND). Mezi tyto nové technologie patří první 1TB čip V-NAND, 16TB SSD disk nové generace Small Form Factor (NGSFF), Z-SSD s nižší latencí než NVMe a technologie Key Value SSD. Tyto nové technologie si kladou za cíl řešit problémy, jako je potřeba vyšší hustoty na menším prostoru, nárůst datově náročných aplikací v důsledku umělé inteligence a technologií internetu věcí (IoT) a potřeba stále nižších latencí.
Společnost Samsung každoročně na veletrhu FMS pořádá Tech Day, který jí umožňuje představit nejnovější technologický vývoj a nastínit, jak bude řešit výzvy v oblasti zpracování dat nové generace. Letos společnost představuje širokou škálu nových technologií V-NAND, které rozšiřují škálu různých problémů, kterým čelí především podniky.
Zajímavým vývojem v oblasti hustoty je zavedení 1Tb (terabitového) čipu V-NAND. Ačkoli společnost tuto skutečnost původně zmínila už při svém prvním představení 3D V-NAND, technologický průlom byl realizován až nyní. Samsung je schopen umístit 16 1Tb čipů na jeden čip, což vede k 2 TB v jednom pouzdře V-NAND. To výrazně zvýší hustotu SSD disků, aniž by bylo nutné přejít na větší formát. Pro odvětví, která hledají vyšší hustotu při stejném provedení, může mít Samsung řešení.
Když už mluvíme o zvýšení hustoty, Samsung také představil nový NGSFF SSD disk s kapacitou až 16 TB a rozměry pouhých 30.5 mm x 110 mm x 4.38 mm. Tento nový disk je speciálně navržen pro 1U servery, které vyžadují větší kapacitu a vyšší IOPS. Samsung uvádí, že jeden 1U server lze škálovat až na 576 TB (s využitím 36 nových NGSFF SSD disků) nebo na více než 1 PB v prostoru 2U přidáním dalšího serveru. Společnost také tvrdí, že kombinované disky dokáží dosáhnout 10 milionů IOPS při náhodném čtení.
Samsung loni představil technologii Z-SSD bez jakýchkoli konkrétních detailů . Letos má společnost produkt Z-SSD s názvem SZ985, ale stále chybí vysvětlení, co to vlastně je nebo jak to funguje. Nový disk má údajně latenci čtení 15 mikrosekund, což je lepší než NVMe SSD. To by bylo nesmírně přínosné pro analýzy v reálném čase nebo pro opravdu rychlou serverovou mezipaměť. Co tato technologie nebo Z-NAND vlastně bude, si můžeme jen hádat, protože společnost si to tají, možná až příliš, protože v tuto chvíli je skutečný produkt ve vývoji.
Společnost Samsung nakonec představila technologii SSD s klíčovou hodnotou, která vede k efektivnějšímu způsobu zpracování složitých datových sad a urychluje výkon stávající technologie NAND. Namísto převodu dat do bloků ke zpracování tato technologie přiřazuje každé „hodnotě“ neboli části objektových dat „klíč“ neboli specifické umístění – bez ohledu na jeho velikost. Klíč umožňuje přímé adresování datového umístění, což následně umožňuje škálování úložiště. Tato nová technologie by byla primárně přínosem pro služby sociálních médií a aplikace IoT.
dostupnost
Technologie V-NAND s kapacitou 1 TB na čip by měla být dostupná příští rok. Společnost Samsung hodlá zahájit hromadnou výrobu nových SSD disků NGSFF ve čtvrtém čtvrtletí letošního roku.
Amazon