Společnost Samsung Electronics Co., Ltd. uvedla na trh třetí generaci své paměti High Bandwidth Memory 2E (HBM2E), známé také jako „Flashbolt“. Nejnovější generace HBM2E má kapacitu 16 GB, což ji činí vhodnou pro HPC systémy a zároveň pomáhá se superpočítači, analýzou dat řízenou umělou inteligencí a nejmodernějšími grafickými systémy. Paměť Aquabolt se bude vyrábět i po celou dobu výroby této generace.
Předchozí generace, Aquabolt, měla kapacitu 8 GB. Flashbolt dosahuje 16 GB vertikálním uspořádáním osmi vrstev 10nm (1y) 16gigabitových (Gb) čipů DRAM na vyrovnávací paměť. Flashbolt je navíc propojen v přesném uspořádání více než 40 000 mikrovýstupků typu „through silicium via“ (TSV), přičemž každý 16GB čip obsahuje přes 5 600 těchto mikroskopických otvorů. Pokud jde o výkon, Samsung uvádí, že nejnovější generace dokáže dosáhnout spolehlivé rychlosti přenosu dat 3.2 gigabitů za sekundu a šířky pásma paměti 410 GB/s na zásobník. To je značné zlepšení oproti 307 GB/s u předchozí generace.
dostupnost
Společnost Samsung očekává, že sériovou výrobu zahájí v první polovině roku 2020.
Amazon