Společnosti Sandisk a Kioxia začaly s testováním BiCS10 1Tb TLC 3D NAND, desáté generace flash paměti BiCS, kterou obě společnosti společně vyvíjejí a vyrábějí. Oznámení přicházejí souběžně, protože se jedná o sdílenou technologii: Sandisk ji zaměřuje na vyšší hustotu, rychlejší rozhraní a lepší energetickou účinnost pro datově náročné úlohy, zatímco Kioxia svou verzi cílí výhradně na SSD disky pro podniky a datová centra, které jsou navrženy tak, aby uspokojily rostoucí poptávku po úložištích s využitím umělé inteligence. Jde o stejnou 332vrstvou NAND paměť od stejného společného podniku, kterou oznámily obě strany.
Skok v hustotě o 332 vrstev
Hlavní změna se týká vrstev. BiCS10 skládá 332 vrstev a v kombinaci s pokročilým laterálním škálováním a vylepšenou efektivitou půdorysu dosahuje špičkové hustoty paměti TLC 1 TB, která přesahuje 29 Gb/mm2. Oproti uzlu BiCS8 8. generace, který je v současné době ve sériové výrobě, to znamená 59% zlepšení bitové hustoty. Vyšší bitová hustota je číslo, které je pro kupující nejdůležitější, protože snižuje cenu za bit a umožňuje výrobcům disků získat větší kapacitu ze stejné plochy čipu. S 332 vrstvami se BiCS10 nachází na špici závodu 3D NAND stacků, ve stejné třídě jako 321vrstvá generace SK hynix a je jasným krokem za 276vrstvými uzly, které definovaly předchozí vlnu.
Rychlejší rozhraní, nižší spotřeba energie
BiCS10 TLC podporuje rychlost rozhraní NAND až 4.8 Gb/s, což je o 33 % více než u 8. generace flash pamětí v masové výrobě. To výrobcům řadičů poskytuje šířku pásma na straně NAND, kterou budou nadcházející SSD disky třídy PCIe Gen6 potřebovat. Zlepšuje se také energetická účinnost, ačkoli ji oba partneři kvantifikují odlišně. Sandisk uvádí 10% snížení vstupního výkonu dat a 34% snížení výstupního výkonu dat oproti BiCS8. Kioxia tyto zisky označuje za 18% a 30% zlepšení energetické účinnosti zápisu a čtení. V obou případech je směr stejný a přínos je nejvýznamnější v hustých podnikových a datových centrech, kde se výkon NAND sčítá na tisících disků.
Postaveno na CBA, Made at Kitakami
Obě společnosti nadále staví na technologii CMOS přímo spojených s polem (CBA), ve které jsou logika CMOS a paměťové pole vyrobeny na samostatných waferech a poté spojeny pomocí zarovnání wafer-to-wafer. CBA, která byla poprvé použita u 8. generace, je zde spárována s technologií On-Pitch Select Gate Drain (OPS) a BiCS10 rozšiřuje tento základ o vyšší a hustší pole. Společnost Kioxia uvádí, že zařízení 10. generace budou vyráběna na nejmodernějším zařízení v jejím závodě Kitakami Plant Fab2 v prefektuře Iwate v Japonsku.
Společnost Kioxia také zařadila BiCS10 do takzvané strategie duální osy, kdy rozvíjí dvě produktové řady najednou: technologii 9. generace pro vysoký výkon s nižšími investičními náklady a technologii 10. generace, která se spoléhá na pokročilé stohování vrstev pro masivní kapacitu a vyšší výkon. Pro Sandisk je tento milník také časným ukazatelem samostatné společnosti po jejím oddělení od Western Digital v roce 2025, kdy se BiCS10 objevil mezi prvními oznámeními NAND pamětí nové generace pod nezávislou značkou Sandisk.
dostupnost
BiCS10 1Tb TLC je ve fázi vzorkování, což znamená, že zařízení budou před širší dostupností zaslána partnerům k funkčnímu vyhodnocení a specifikace vzorků se mohou lišit od sériové výroby. Sandisk nesdělil časový harmonogram sériové výroby ani nejmenoval první komerční produkty, zatímco Kioxia pouze potvrdila, že výroba je plánována ve svém závodě Kitakami Fab2. Vzhledem k tomu, že obě společnosti poukazují na BiCS10 jako na úložiště pro podniky, datová centra a AI, prvními disky, které jej budou s největší pravděpodobností používat, budou vysokokapacitní podnikové a hyperscale SSD disky Gen6.
Amazon