Společnost SK hynix oznámila zahájení hromadné výroby své 238vrstvé 4D NAND flash paměti. Tato paměť, která byla poprvé oznámena v srpnu 2022, představuje významný krok vpřed v technologii NAND a vyniká svou výrobní efektivitou, jelikož nabízí 34% nárůst ve srovnání s předchozí 176vrstvou generací.
Stručně řečeno, nová technologie NAND od SK hynix se skládá z paměťových buněk naskládaných ve 238 vertikálních vrstvách, což umožňuje vyšší hustotu úložiště. Využívá 4D architekturu stohování pro větší ukládání dat na menší fyzické ploše ve srovnání s předchozími generacemi, jako je 3D NAND. To umožní použití NAND sad s vyšší kapacitou na SSD deskách. SSD disky s touto technologií NAND zatím nebyly oznámeny, ale měly by se objevit v příští generaci podnikových i klientských SSD disků od SK hynix a Solidigm.
Kromě vylepšené hustoty se očekává, že 238vrstvá paměť NAND Flash přinese mimořádné zvýšení výkonu. S rychlostí přenosu dat 2.4 Gb za sekundu, což je o 50 % více než u předchozí generace, a přibližně o 20 % rychlejším čtením a zápisem.
Po úspěšných testech kompatibility produktů s významným světovým výrobcem chytrých telefonů se SK hynix připravuje také na dodávky 238vrstvé paměti NAND Flash pro chytré telefony. Uživatelé mobilních telefonů tak mohou očekávat vylepšený uživatelský zážitek a celkový výkon zařízení, která tuto novou, pokročilou technologii NAND využívají.
Tento pokrok se promítá do lepší cenové konkurenceschopnosti, což pomáhá společnosti dále upevňovat její pozici lídra v polovodičovém průmyslu. Mimochodem, Micron ve svém sdělení klade velký důraz na své vedoucí postavení ve „válce vrstev NAND“. Nová paměť SK hynix NAND opět srovnává podmínky, protože obě společnosti soupeří o každé dostupné procento podílu na trhu, aby si zajistily druhé místo za Samsungem.
Amazon