Společnost Spin Memory dnes oznámila novou technologii výroby pamětí RAM (Random-Access Memory), která zlepšuje hustotu paměti (a tím i kapacitu) nejméně o 20 %. Společnost tvrdí, že některé návrhy čipů mohou díky přijetí jejich nové technologie vejít až pětkrát více paměti na stejném místě s minimálními dodatečnými náklady na zpracování waferu. Společnost Spin Memory (před několika lety přejmenovaná a rebrandingovaná ze Spin Transfer Technologies) byla založena v roce 2007. Spin Memory intenzivně zkoumá vylepšení v oblasti pamětí RAM, zejména MRAM.
Společnost Spin nazývá svou novou technologii Universal Selector. Universal Selector od společnosti Spin Memory je selektivní vertikální epitaxní tranzistorová buňka. Podle společnosti je schopna provozovat buňku v plném vyčerpání pomocí nízké koncentrace dopingu. Částečně díky této konstrukční vlastnosti může být buňka Universal Selector zcela elektricky izolována od křemíkového substrátu. Tato izolace by měla snížit míru měkkých chyb v čipech RAM a snížit účinnost útoků Rowhammer. Společnost Spin Memory uvádí, že v současné době spolupracuje s NASA na vývoji řešení DRAM (Dynamic Random-Access Memory) s nízkým SER a imunitou vůči kladívkovým útokům.
Společnost Spin Memory si myslí, že díky konfiguraci bitových buněk 4F2 DRAM dokáže zlepšit hustotu polí DRAM o 20 % až ohromujících 35 %. DRAM je stejný typ paměti, jaký používá většina osobních počítačů. Číslo 4F2 by se mělo číst jako 4 s jednotkou F2. F2 je měrná jednotka, podobně jako nanometry, libry nebo dolary. F2 je jednotka používaná k popisu toho, kolik místa zabírá každá funkce nebo bit v dvourozměrné oblasti. Důležité je, že neříká nic o tom, jak vysoký nebo hluboký je hardware potřebný k uložení jednoho bitu, pouze o jeho ploše. Celkově vzato, konstrukce 4F2 pojme o 50 % více paměti než konstrukce 6F2 ve stejném prostoru, za předpokladu podobného vertikálního stohování.
Společnost Spin Memory tvrdí, že univerzální selektor umožňuje výrobcům vytvářet paměťové buňky 1T1R s kapacitou 6F2–10F2, které jsou určeny pro nové paměti, jako je MRAM (magnetorezistivní paměť s náhodným přístupem), ReRAM (rezistivní paměť s náhodným přístupem) a PCRAM (fázově měnící se paměť s náhodným přístupem). To by výrobcům umožnilo umístit až pětkrát více paměti na stejném místě s minimálními dodatečnými náklady na zpracování waferu. Na MRAM se společnost Spin Memory zaměřuje již od svého založení. Hlavní výhodou MRAM oproti DRAM je, že je energeticky nezávislá a může docházet ke ztrátě energie bez ztráty dat. Její hlavní nevýhodou, doposud, byla menší hustota, tj. nedokáže uložit tolik dat na stejném místě. I když konstrukce 6F2 tuto mezeru zcela nevyrovná, dostává čipy MRAM na dosah současné generace DRAM.
Společnost Spin Memory plánuje koncem tohoto měsíce sdílet další technické podrobnosti o svém univerzálním selektoru. Ve čtvrtek 20. srpna přednese Dr. Kadriye Deniz Bozdag, manažerka testování MRAM ve společnosti Spin Memory, prezentaci na 31. konferenci o magnetickém záznamu v Berkeley.
Amazon