Společnost Toshiba Memory America oznámila druhou generaci flash pamětí SLC NAND pro vestavěné aplikace. Produkty Serial Interface NAND druhé generace od této společnosti podporují rozhraní Serial Peripheral Interface (SPI) a lze je použít v řadě aplikací, které vyžadují vysokorychlostní přenos dat. Nová řada Serial Interface NAND obsahuje osm produktů s napájecím napětím 2.70 až 3.60 V a 1.70 až 1.95 V.
Nové produkty Toshiba se vyznačují vyššími rychlostmi (tj. 104 MHz až 133 MHz) ve srovnání s předchozími generacemi a obsahují nový příkaz, který načítá data pro programování ve 4bitovém režimu (QSPI). Toshiba uvádí, že přidání 8Gb zařízení také přináší lepší hustotu NAND.
KLÍČOVÉ VLASTNOSTI
|
Hustota |
1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB |
|
Velikosti stránek |
2 kB (1 GB, 2 GB), 4 kB (4 GB, 8 GB) |
|
Rozhraní |
Sériové periferní rozhraní, režim 0, režim 3 |
|
Napájecí napětí |
2.70 až 3.60 V, 1.70 až 1.95 V |
|
Rozsah provozních teplot |
-40 ° C až 85 ° C |
|
Funkce |
Provozní frekvence 133 MHz ・Režim programování / čtení x4 ・Funkce vysokorychlostního sekvenčního čtení ・Funkce ECC (ZAP/VYP, hlášení o počtu převrácených bitů) ・Funkce ochrany dat (schopnost chránit specifické bloky) ・Funkce stránky parametrů (schopnost zobrazit podrobné informace o zařízení) |
dostupnost
Vzorky jsou již k dispozici a sériová výroba je naplánována na říjen.
Amazon