Solidigm P5810 es un SSD empresarial que incorpora SLC 144D NAND de 3 capas y capa de abstracción de almacenamiento de cliente (CSAL) para ofrecer una unidad de resistencia extrema con capacidad para hasta 65 escrituras de unidad por día (DWPD). El P5810 está disponible con una capacidad de 800 GB (con un modelo de 1.6 TB que estará disponible en breve) y está diseñado para satisfacer las necesidades cambiantes de los centros de datos y las aplicaciones HPC.
En cuanto al rendimiento, el D7-P5810 ofrece hasta 6,400 MB/s y 4,000 MB/s en ancho de banda de lectura y escritura secuencial, respectivamente, mientras que el rendimiento aleatorio se cotiza en 865,000 495,000 IOPS de lectura y 65 50 IOPS de escritura. La unidad también presenta una impresionante clasificación de resistencia de hasta XNUMX escrituras en la unidad por día (DWPD) para cargas de trabajo secuenciales y hasta XNUMX DWPD para cargas de trabajo aleatorias. Esto subraya su idoneidad para tareas de intensidad de escritura extrema, lo que garantiza una longevidad y un rendimiento constante en entornos donde los datos se actualizan o reemplazan con frecuencia.
El Solidigm P5810 está diseñado para escenarios que no solo exigen la longevidad que proporciona un alto volumen de escrituras diarias, sino que también requieren velocidad y capacidad de respuesta. Muchas arquitecturas de almacenamiento pueden beneficiarse de unidades de alta resistencia como esta. Normalmente, pensaríamos en unidades como esta para usar en una capa de caché de escritura, como en el entorno vSAN OSA o VAST Data, por ejemplo. Si bien Optane ha sido líder en esta categoría, Intel ha decidido retirar ese producto, por lo que la industria tiene pocas opciones de alta resistencia. El KIOXIA FL6 parece ser uno de los últimos SSD que quedan en la categoría clásica de memoria de clase de almacenamiento (SCM).
Si bien SCM generalmente intenta ofrecer resistencia y rendimiento extremos en un solo paquete, esto tiene un costo: estas unidades son muy caras por TB. La nueva generación de unidades de baja capacidad y alta resistencia como la P5810 que están llegando al mercado ahora están realmente diseñadas para ofrecer la resistencia que necesitan los entornos de escritura alta, con un paquete NAND tradicional que no desequilibra la ecuación de costos. Entonces, en esta categoría, Solidigm confía en que la industria está dispuesta a pagar por la resistencia en lugar de una latencia extremadamente baja.
Especificaciones de Solidigm D7-P5810
| Especificación | Detail |
| CAPACIDAD | 800 GB |
| Factor de forma | U.2 15mm |
| Fácil de usar | PCIe 4.0 x4, NVMe |
| Peso | 153g |
| Tipo de litografía | 144L SLC 3D NAND |
| Condiciones de uso | Servidor/Empresa |
| Rendimiento: lectura aleatoria (100 % de amplitud) | 865,000 IOPS (4K, QD256) |
| Rendimiento: escritura aleatoria (100 % de amplitud) | 495,000 IOPS (4K, QD256) |
| Poder - Activo | 12 W |
| Potencia: inactivo | 5W |
| Latencia: lectura aleatoria (típica) | 53μs |
| Latencia: escritura aleatoria (típica) | 15μs |
| Latencia: lectura secuencial (típ.) | 10μs |
| Latencia: escritura secuencial (típ.) | 13μs |
| Período de garantía | 5 años |
| Clasificación de resistencia (escrituras de por vida) | 50 DWPD/73 PBW |
| Tiempo medio entre fallos (MTBF) | |
| Vibración - Funcionamiento | 2.17 GRMS (5 - 700 Hz) máx. |
| Vibración: no operativa | 3.13 GRMS (5 - 800 Hz) máx. |
| Choque (operativo y no operativo) | 1,000 G (máx.) a 0.5 ms |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0 - 70 ° C |
Rendimiento de Solidigm P5430
Banco de pruebas
Nuestras pruebas de SSD PCIe Gen4 Enterprise utilizan un Lenovo ThinkSystem SR635 para las pruebas de aplicaciones y los benchmarks sintéticos. El ThinkSystem SR635 es una plataforma AMD de un solo procesador bien equipada, que ofrece una potencia de CPU muy superior a la necesaria para poner a prueba el almacenamiento local de alto rendimiento. Las pruebas sintéticas no requieren muchos recursos de CPU, pero utilizan la misma plataforma Lenovo. En ambos casos, el objetivo es mostrar el almacenamiento local en su mejor versión, de acuerdo con las especificaciones máximas de la unidad del fabricante.
Plataforma de aplicación y sintética PCIe Gen4 (Lenovo ThinkSystem SR635)
- 1 x AMD 7742 (2.25 GHz x 64 núcleos)
- 8 memorias ECC de 64 GB DDR4-3200 MHz
- CentOS 7.7 1908
- ESXi 6.7u3
Análisis de carga de trabajo de VDBench
Cuando se trata de comparar dispositivos de almacenamiento, las pruebas de aplicaciones son las mejores y las pruebas sintéticas ocupan el segundo lugar. Si bien no es una representación perfecta de las cargas de trabajo reales, las pruebas sintéticas ayudan a los dispositivos de almacenamiento de referencia con un factor de repetibilidad que facilita hacer comparaciones de manzanas con manzanas entre soluciones de la competencia. Estas cargas de trabajo ofrecen una gama de perfiles de prueba que van desde pruebas de "cuatro esquinas" y pruebas comunes de tamaño de transferencia de bases de datos hasta capturas de seguimiento de diferentes entornos VDI.
Todas estas pruebas aprovechan el generador de cargas de trabajo vdBench común, con un motor de secuencias de comandos para automatizar y capturar resultados en un gran clúster de pruebas informáticas. Esto nos permite repetir las mismas cargas de trabajo en una amplia gama de dispositivos de almacenamiento, incluidos arreglos flash y dispositivos de almacenamiento individuales. Nuestro proceso de prueba para estos puntos de referencia llena toda la superficie del disco con datos y luego divide una sección del disco equivalente al 25 % de la capacidad del disco para simular cómo podría responder el disco a las cargas de trabajo de la aplicación. Esto difiere de las pruebas de entropía completa, que utilizan el 100 por ciento del impulso y lo llevan a un estado estable. Como resultado, estas cifras reflejarán velocidades de escritura más altas.
perfiles:
- Lectura aleatoria 4K: 100 % de lectura, 128 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Escritura aleatoria 4K: 100 % de escritura, 128 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Lectura secuencial de 64 K: 100 % de lectura, 32 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Escritura secuencial de 64 K: 100 % de escritura, 16 subprocesos, 0-120 % de iorate
- Base de datos sintética: SQL y Oracle
- Trazas de clones vinculados y clones completos de VDI
En nuestro análisis, comparamos el P5810 con el ya descatalogado Intel Optane P5800X para evaluar la durabilidad y el rendimiento de la solución basada en memoria NAND de Solidigm frente a la tecnología Optane. Si bien actualmente ningún producto se compara con el Intel P5800X (a pesar de su lanzamiento en 2021), el P5810 busca alcanzar altos índices de durabilidad, con hasta 65 DWPD para cargas de trabajo secuenciales, y pretende ofrecer una alternativa rentable con mayor capacidad que la unidad Optane. También incluimos el Solidigm P5520 entre los productos comparables, que sirve como referencia dentro de la gama de la marca.
En nuestro primer análisis de carga de trabajo de VDBench, lectura aleatoria de 4K, el Solidigm P5810 tuvo un rendimiento máximo de solo 920K IOPS con una latencia bastante pronunciada de 553.6 µs. Esto lo colocó detrás de las otras unidades.
En escritura aleatoria 4K, el Solidigm P5810 tuvo un pico de 664K IOPS con una latencia de 762 µs, lo que lo coloca muy por detrás de la unidad Intel Optane pero mejor que el P5520.
Al cambiar a cargas de trabajo secuenciales de 64k, el Solidigm P5810 retrocedió un poco en lecturas, alcanzando un máximo de 5.91 GB/s (94K IOPS) con una latencia de 671.6 µs.
En escritura secuencial, el Solidigm P5810 estaba justo en el medio del grupo, alcanzando un máximo de escritura de 3.79 GB/s (61 K IOPS) con una latencia de 1,045 µs.
Nuestro próximo conjunto de pruebas son nuestras cargas de trabajo de SQL: SQL, SQL 90-10 y SQL 80-20. A partir de SQL, Solidigm P5810 registró un rendimiento máximo de 374 84.5 IOPS con una latencia de XNUMX µs.
En SQL 90-10, el P5810 mostró un rendimiento máximo de 370 K con una latencia de 85 µs.
Con SQL 80-20, el Solidigm P5810 tuvo un rendimiento casi idéntico, alcanzando un máximo de 369 85 IOPS con una latencia de XNUMX µs.
Las siguientes son nuestras cargas de trabajo de Oracle: Oracle, Oracle 90-10 y Oracle 80-20. Al igual que con las pruebas de SQL, el Solidigm P5810 continuó ocupando el segundo lugar con números decentes (con la unidad Optane mucho más allá de las dos unidades Solidigm). Comenzando con la carga de trabajo general de Oracle, la unidad P5810 tuvo un rendimiento máximo de 365 94.9 IOPS a XNUMX µs.
En cuanto a Oracle 90-10, Solidigm P5810 registró un rendimiento máximo de 287 75.7 IOPS a XNUMX µs.
El siguiente es Oracle 80-20, donde el P5810 mostró un pico casi idéntico de 288K IOPS a 74.5 µs.
A continuación, cambiamos a nuestra prueba de clonación VDI, completa y vinculada. Para el arranque VDI Full Clone (FC), alcanzó un máximo de 229K IOPS con una latencia de 153.2 µs superada por el P5520 al final de la prueba.
Durante el inicio de sesión inicial de VDI FC, el P5810 alcanzó un máximo de 177 K IOPS sólidos con una latencia de 165 µs.
Con VDI FC Monday Login, el P5810 registró 129K IOPS con una latencia de 121.3 µs, lo que muestra una ganancia notable con respecto a la otra unidad Solidigm.
Para el arranque de clon vinculado (LC) VDI, el P5810 mostró un pico de 101 K IOPS con 157 µs.
En el inicio de sesión inicial de VDI LC, el Solidigm P5810 mostró cierta inestabilidad, donde alcanzó un máximo de 69 112.2 IOPS a 25 µs, experimentando un aumento notable en el rendimiento al acercarse a XNUMX XNUMX IOPS.
Para VDI LC Monday Login, el P5810 se ubicó en el medio del grupo, alcanzando un máximo de 98K IOPS con una latencia de 158.6 µs.
Conclusión
El Solidigm P5810 se destaca como una incorporación notable a la cartera de SSD empresariales de la empresa. La integración de la unidad de tecnología SLC 144D NAND de 3 capas y CSAL refleja un enfoque deliberado en la optimización de los procesos de escritura, lo cual es crucial para las exigentes cargas de trabajo de los centros de datos y las aplicaciones informáticas de alto rendimiento.
Al observar los resultados de rendimiento, los gráficos requieren un poco de matiz para clasificar el rendimiento. Se debe hacer hincapié en el rendimiento de cargas de trabajo mixtas y de escritura intensa; utilizar esta clase de unidad para aplicaciones de lectura intensa no tiene mucho sentido. Con ese marco establecido, vemos que el P5810 supera a la unidad P5520 convencional en escrituras. Sin embargo, lo que no se puede ignorar es que la unidad Optane de clase SCM todavía mantiene una gran ventaja general.
Sin embargo, como hemos dicho, la línea motriz Optane se ha retirado y parece que la industria no tiene interés en verla regresar. Intel no pudo vender el negocio de Optane y, claramente, la demanda de los clientes simplemente no estaba ahí. Según muchas personas con las que hemos hablado, esto se debe en gran medida al costo por TB de esas unidades. También vale la pena señalar que las unidades TLC convencionales de alta resistencia (3DWPD) funcionan muy bien en este punto, cerrando parte de la brecha de rendimiento que tenía Optane. Entonces parece que la pregunta es más sobre la resistencia de estos entornos de alta escritura. Optane tenía 100 DWPD y el P5810 viene con hasta 65 DWPD, según la carga de trabajo. Solidigm considera que esto es suficiente para satisfacer las necesidades de varios casos de uso; Eso aún está por verse.
El modelo que más entusiasma a Solidigm sería cualquier arquitectura que pudiera aprovechar el P5810, ubicado frente a sus unidades QLC de mega capacidad . Las unidades QLC ofrecen un excelente rendimiento de lectura, pero pueden tener un precio en cuanto a escritura. Por lo tanto, un conjunto de P5810 frente a un chasis lleno de P5336 podría ser una solución interesante. Esperamos explorar más casos de uso como este en el futuro; por ahora, solo contamos con esta unidad de prueba. Con la promesa de una versión de 1.6 TB en el horizonte, Solidigm está alineando su amplia oferta de SSD con la trayectoria futura de las diversas necesidades de almacenamiento empresarial, asegurando así un amplio portafolio de soluciones.
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