Intel과 Micron은 3nm 공정 기술을 기반으로 하는 셀당 3비트(25bpc) NAND 플래시를 제공한다고 발표했습니다. 샘플이 나오고 있으며 올해 전체 라인 생산이 예상됩니다.
8GB 25nm 리소그래피는 기존의 20비트(단일 레벨 셀) 또는 25비트(다중 레벨 셀)가 아닌 셀당 8비트의 정보(트리플 레벨 셀 TLC)를 저장합니다. 그 결과 현재 생산 중인 단일 XNUMXGB 장치 중 가장 작은 동일한 용량의 XNUMXnm MLC보다 XNUMX% 이상 작은 장치가 탄생했습니다.
인텔의 톰 램폰(Tom Rampone) 인텔 사장은 “25월에 업계에서 가장 작은 3nm 다이 크기를 도입한 후 25nm에서 셀당 8비트로 빠르게 이동하면서 우리는 계속해서 추진력을 얻고 고객에게 강력한 리더십 제품 세트를 제공할 것”이라고 말했습니다. 인텔 NAND 솔루션 그룹의 부사장 겸 총책임자. "인텔은 새로운 25GB TLC XNUMXnm NAND 장치를 기반으로 고객에게 고밀도, 비용 경쟁력 있는 제품을 제공하기 위해 IMFT의 설계 및 제조 리더십을 사용할 계획입니다."
아마존